栅结构相关论文
本文通过Silvaco软件,仿真分析了栅结构参数的变化对AlGaN/GaN HEMT的性能影响,并优化栅结构得到适合Ka波段的高性能器件。优化得......
作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)在紫外探测方面具有独特的优势。因此,GaN基紫外探测器在民用和军事领域得到了广泛的应用。......
本文利用一由两个相互垂直的加速度计组成的栅结构谐振器来同时测量x轴和y轴的加速度以及z轴的输入角速度.此谐振器利用变面积电容......
针对蒲石河抽水蓄能电站,以拦污栅第一阶自振频率作为优化目标,以拦污栅结构的各截面尺寸为设计变量,结构的系统质量、过水面积等......
为抑制深亚微米栅器件的短沟道效应(SCEs),本文提出了一种采用复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT,复合金属栅结构(CMG)由一系列不同......
由于半导体纳米硅(nc-Si)材料具有许多与体材料不同的新颖特性,因而引起了人们广泛的研究兴趣。一方面,基于量子限制效应,在纳米......
本文首先给出了叠栅MOSFET的结构设计,通过理论计算与仿真模拟结果作比较来验证普通NMOS的阈值电压的正确性;在此之后,同样仿真模......
本文通过Silvaco软件,仿真分析了栅结构参数的变化对AlGaN/GaN HEMT的性能影响,并优化栅结构得到适合Ka波段的高性能器件。优......
本文的主要工作是讨论如何实现一个具有复合耐压层结构的DMOS器件。工作包括器件结构选取、工艺流程设计、版图实现、流片及后续工......
栅结构在某种程度上决定VDMOS器件的频率特性和耐压等基本性能.本文设计并研究了VDMOS器件的分栅结构和虚拟栅结构.通过模拟和器件......
分析对比了4种不同表面结构4H-SiC MESFET的电流不稳定效应,可以观察到,与平面和凹沟道结构相比,凹栅和埋栅结构可以减小电流不稳......
本文利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算......
本文报导了一种新型栅结构微机械陀螺的设计及制作,对这种新型陀螺的工作特性进行了理论分析,说明了陀螺结构参数对陀螺灵敏度的影......
对两种工艺结构的GaAs双栅微波低噪声管CS0563和WC54进行了抗静电放电(ESD)摸底对比试验和失效分析,发现采用了“T”型栅结构(栅柄在栅条中间引出)的CS0563的抗ESD能......
该文采用多模网络与模匹配相结合的方法系统地分析了周期和准周期多层平板介质光栅的色散特性。对多种栅结构的计算结果表明,与已有......
分析了VDMOSFET的反向传输电容Crss解析模型,计算结果和实际测试结果非常吻合。结果表明:增加栅漏氧化层厚度,即台阶栅结构,对于降低Crss效果并不明显;表......
高频率、高功率一直以来都是 GaN基 HEMT器件研究的热点。InAlN/GaN HEMT则着重于提高器件的电流增益截止频率(fT)。InAlN具有极强......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的......
为了实现22nm技术节点,工程师必须在许多方面做出重大决定,例如:是否要从平面化的CMOS器件结构转变为多栅结构;是否要使用不同的沟道材......
本文利用COMSOL Multiphysics有限元物理仿真软件对基于加强表面栅结构的定向声辐射效应进行了仿真研究,结果表明加强表面栅结构能......
近年来,半导体集成电路技术发展迅速,半导体芯片在移动设备领域的应用越发广泛,相应对芯片在能耗和处理速度上的要求也越来越严格,......
系统比较了几种不同栅结构短沟道SOI MOSFET的性能,包括短沟道效应、电流驱动能力、器件尺寸等特性,获得了栅的数目与短沟道SOI器......
主要研究了大角速度信号输入对栅结构振动式微陀螺及其检测电路分辨率的影响.在0.01-200o/s的动态范围内,按照设计值,陀螺器件与检......
电容式陀螺仪是一种振动式陀螺仪,由于加工的特殊性使其具有了传统的陀螺无法比拟的优点,从而拓宽了其应用领域.为了提高陀螺仪的......
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的......
FSI国际有限公司近日宣布:在2005财年第三季度中,来自欧洲、亚太地区、日本以及美国的领先集成电路制造商对于ANTARES超凝态过冷动力......
随着MOSFET尺寸的不断减小,芯片的集成度不断提高、开关速度不断加快。同时,MOSFET尺寸不断减小要求电源电压及阈值电压不断降低,......
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,......
报道了对SiC MESFET器件多种纵向结构设计进行的研究和分析,设计了采用单凹槽栅结构、多凹槽栅结构和介质埋栅结构三种不同纵向结......
期刊
高频率、高功率一直以来都是GaN基HEMT器件研究的热点。InAlN/GaN HEMT则着重于提高器件的电流增益截止频率(fT)。InAlN具有极强的......