满阱容量相关论文
研究了传输栅掺杂，即N+TG和P+TG，对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响，随着钳位光电二极管和浮动......
以4T CMOS有源像素图像传感器为研究对象,开展了 10 MeV不同注量质子辐照导致图像传感器满阱容量性能退化模拟研究,建立了 CMOS图......
随着近年来半导体工艺的不断发展，国内外对CMOS图像传感器的研究也越来越快，各种高性能的CMOS图像传感器产品一一问世，有逐渐取代CCD......
用60Coγ射线对国产0.18μm科学级4T互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素图像传感器进行电离总剂量辐照试验,研究了动态偏置下满阱......
对基于4晶体管像素结构互补金属氧化物半导体图像传感器的电离总剂量效应进行了研究,着重分析了器件的满阱容量和暗电流随总剂量退......
随着近年来半导体工艺的不断发展,国内外对CMOS图像传感器的研究也越来越快,各种高性能的CMOS图像传感器产品一一问世,有逐渐取代C......
在分析光电二极管电容、浮空节点电容以及电荷转移效果这三方面影响满阱容量的基础上,着重讨论了最重要的光电二极管电容对满阱容......
随着CMOS工艺水平的提高与诸多技术瓶颈的解决，CMOS图像传感器凭借低功耗、低成本、小体积、可随机读取等一系列优点，在平板电脑、智......
