电子束光刻胶相关论文
电子束光刻（EBL）是高性能电子器件制造以及半导体工业掩模生产中极其重要的技术,它有别于光学光刻技术,无需掩膜即可以直写的方式制......
电子束光刻作为下一代光刻技术,以其分辨率高和性能稳定被认为是在22nm节点最具有发展前景的光刻技术之一.本文归纳了电子束光刻胶......
NEC公司和Tokuyama公司合作开发的电子束光刻胶能够实现8nm线宽的光刻,边缘粗糙度小于1nm。该电子束光刻胶的成分为氯甲基杯4芳烃......
制造 I,LSI 等的半导体器件的微细加工技术是通过照相蚀刻法实现的,即采用紫外曝光和以光刻胶为掩蔽进行蚀刻的。为了制作集成度......
本文从实用于大规模集成电路制备的观点出发,对紫外线光刻和电子束光刻图形制作工艺中的问题进行了综述。在紫外线光刻方面,对接触......
<正> NEC公司和Tokuyama公司合作开发的电子束光刻胶能够实现8nm线宽的光刻,边缘粗糙度小于1nm。该电子束光刻胶的成分为氯甲基杯4......
