直拉单晶硅相关论文
大尺寸直拉单晶硅的“增效降本”是当前光伏企业急需解决的问题。本文采用有限元体积法对φ300 mm直拉单晶硅生长过程分别进行稳态......
用专业直拉单晶有限元分析软件，如CG sim等模拟18时直拉单晶硅炉内部热场，得到热效率高的直拉单晶炉热场分布，可以用于改善热场加快结......
设计一种二维轴对称和三维混合的数值计算模型,对水平磁场作用下的直拉硅单晶生长进行了研究。结果表明,由于水平磁场的非轴对称性......
超大规模集成电路的发展对基础材料硅的科学研究和技术进步提出了新的挑战,在今后10年中,12英寸单晶硅和集成电路是微电子工业的......
研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间......
1、产品及其简介该产品采用气相掺氮技术,即氮气既作为保护气,又通过与硅熔体反应掺入熔体,是硅晶体中氮的来源,解决了气相掺氮掺......
第1期(总第76期)萃取稼过程的分相及传质间题研究·····································......
研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响.通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高一低.......
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP......
本文研究了直拉单晶硅中形成洁净区后过渡族金属杂质铜的沉淀行为.样品经过高低高三步常规热处理形成洁净区后,在不同温度下引入杂......
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了......
坩埚喷涂是多晶硅铸锭生产过程中重要的工序,直接影响到多晶硅锭的产品质量。介绍多晶硅铸锭的方法及工艺原理,着重分析坩埚对多晶......
直拉单晶硅是半导体行业最重要的基础材料，半导体技术的快速发展要求硅材料行业生产直径更大、质量更高即更低缺陷密度的单晶硅。本......
本文从三个方面论述硅中的氧和碳:(1)氧和碳的引入及其浓度;(2)对形成晶体缺陷所起的作用和对集成电路的影响;(3)关于工业方面解决......
近30多年来微电子工业的飞速发展,从根本上重塑了人类赖以生存的世界。我们尽情享受着收音机、电视、空调、手提电脑、移动电话、......
在市场火爆时,晶龙需要在低成本之外寻找更多的竞争优势.宁晋县地处冀中平原,距北京300多公里。高速公路去年刚刚修通,至今还没有......
ＣＺ硅中金属杂质的起源为促进晶体净化技术的发展，日本三菱材料公司的科研人员研究了直拉单晶硅中金属杂质的来源。实验计算了从不同杂......
中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹......
在直拉单晶硅生长的过程中,自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大。本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的......
本文给出了不同原始材料状况、不同中子辐照剂量对FZ(H_2)硅中氢施主产生的影响和经长时放置的中子掺杂FZ(H_2)硅的退火行为,提出......
半导体器件工艺的问题,从本质上来讲,也就是控制半导体晶体中的杂质和缺陷的问题。虽然半导体器件工艺现在已经有了突飞猛进的发......
本文报道NTD CZ Si从室温到1200℃退火的红外吸收光谱,研究了600～1300cm~(-1)波数区的一些中子辐照缺陷和氧与碳的红外吸收峰的退火......
观测到掺铂硅中 E_c-0.23eV能级的 DLTS信号因电子辐照而衰减,而E_v+0.32eV能级则对电子辐照不敏感.这一实验结果使我们认为,掺铂......
在硅器件制造中,用电子束辐照代替扩金等工艺以控制少子寿命,近年来引起了人们很大的兴趣.十几年来美国西屋、G.E.公司发表了很多......
半导体材料的研究开发,是现代新兴电子信息产业的基础,其战略地位日益显得重要了。半导体材料种类繁多,主要有:锗、硅等的元素半......
近年来,利用1—12MeV加速电子辐照,在硅材料中可以成功地引入复合中心,并代替扩金等工艺.它有效、精确地控制了器件寿命参数.全面......
利用傅立叶红外光谱议,通过单步退火和两步退火的方法,研究了太阳能级直拉单晶硅在不同气氛下热处理对其氧沉淀的影响.实验结果表......
太阳能用直拉单晶硅中的氧是主要的非故意掺入杂质，主要来自于石英坩埚，它与掺杂元素硼的结合目前被证实为，是造成p型单晶太阳能电池......
本文研究了在利用快速热处理（RTP）注入的大量空位在不同的温度下进行不同的热处理时对掺锗直拉单晶硅氧沉淀的行为的影响。结果表明，......
本文对直拉单晶硅材料生长外延重掺硼的晶硅薄膜，并在高温下烧结与以往的铝吸杂比较，通过改变背场烧结的工艺条件来改善电池性能。并......
本文用红外扫描电镜(SIRM)研究了快冷和慢冷条件下铸造多晶硅中的镍沉淀规律.实验发现:相对于直拉单晶硅,镍在铸造多晶硅中存在着......
近年来的研究表明，在直拉单晶硅(Czochralski silicon，CZ-Si)中掺氮可以用于调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同时，掺氮直拉单晶硅(NCZ-Si)......
太阳能是一种重要的绿色能源,而太阳电池是将太阳能转化为电能的有效器件。目前,应用最广泛的是硅太阳电池,但是其成本比较高,还没......
铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重......
氧和氮是直拉硅单晶中非故意掺杂的重要杂质,它们显著影响直拉硅单晶的性能。傅立叶变换红外光谱(FTIR)是研究上述两种杂质在直拉......
研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律。实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消......
本文重点分析了单晶炉的二次加料过程的衍变,对每种加料方式的优劣都实现了研究,同时指出单晶炉二次加料以后的发展方向.......
尹东坡 【摘 要】研究了投料量和拉速对N型直拉单晶硅头部氧碳含量和漩涡缺陷的影响，并对漩涡缺陷和氧含量对少子寿命及电池性能......
2020年末,世界首个旋式铸造单晶炉在江西赛维集团研制成功。该旋式铸造单晶炉由中国科学院陈仙辉院士团队和赛维集团技术团队合作......
