等时退火相关论文
锆合金在核子动力学中的应用要求人们必须研究辐照及腐蚀介质对这些合金的物理机械性能及组织的影响,这首先与反应堆活性区工作部......
SmCo_5永磁合金是一种用途广泛的永磁材料,其居里点约为740℃。为找出材料在400℃以上性能变坏的原因,尝试进行了室温至740℃温度......
１１２ＭｅＶ Ａｒ离子在５０Ｋ以下的低温辐照Ｓｉ到８×１０＾１４／ｃｍ＾２剂量，室温下采用电子顺磁共振技术分析了由辐射引起的缺陷产生及其退火行为。结果表明：Ａｒ离子辐照在Ｓｉ中......
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓......
室温下采用等径弯曲通道变形(Equal Channel Angular Pressing,ECAP)C方式进行了纯铜(99.95%)12道次挤压变形。通过等温和等时退火......
我们对含Ni量28～37wt.％的十一种合金的马氏体相变进行了研究。 加工态合金(变形量>60％)经液氮淬火后,正电子平均寿命τ和S参数值不变......
用正电子湮没寿命技术研究了非晶合金(Co_(0.85)Ni_(0.08)Fe_(0.06)Nb_(0.01))_(75)Si_(10)B_(15)的结构弛豫和晶化过程。样品取......
本文用正电子湮没寿命方法研究了塑性变形镍(含0.01％杂质)的回复过程的特点及杂质在缺陷回复过程的作用和影响,计算了形变为10％的试......
对富Co近零磁致伸缩CoFeVSiB金属玻璃薄带进行等时退火和等温退火,并在T=30～240℃测量淬态和各退火态的λ_s。结果发现:λ_s随T的变......
晶粒尺寸在很大程度上决定了Fe基纳米晶合金的磁学性能,其随退火温度变化的物理机理是纳米晶领域重要的研究内容.研究了初始晶化温......
低温电镀方法可在工件表面产生高硬度、耐磨的镀铁层,但工作于较高温度时耐磨性和硬度下降。本文研究在不同等时退火和等温退火条......
采用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽线形参数测量的方法，研究了Fe－Cr－Ni奥氏体合金高温淬火和塑性形变产生的晶体缺陷及其回复行为；讨论......
采用正电子湮没方法研究了充分退火与塑性变形多晶纯镍中阴极充氢产生的微观缺陷及其回复行为。实验结果表明，空位的迁移激活能Em＝0.......
通过显微硬度测量和Ｘ射线衍射结构分析，研究了非晶态Ｆｅ９６－ｘＳｉ４Ｂｘ（ｘ＝１６．１，１６．３，１７．１，１７．９或２７．２）及Ｆｅ８６．３８－１．０６２ｘＷ０．６２＋０．０６２ｘＳｉ３Ｂ１０＋ｘ（ｘ＝０，５，１０，１２，１３，１４，１５，１６，１８，２０或２２）合金系的显微硬度随合金成分及结构变化的关系。结果表明：此两合金系的显微......
本文通过精密测定非晶态Ｎｉ－Ｓｉ－Ｂ系合金的电阻率在不同温度下等时退火后的变化，研究了该合金的结构驰豫过程，得到其电阻率变化随退火温度而作......
中子掺杂直拉单晶硅的正电子淹没特征左开芬张纯孟祥提苏庆善陆余发（清华大学核能技术设计研究院１０００８４）关键词：中子辐照直拉单晶硅正电子淹......
研究了几种冷变形钒合金的回复和再结晶特性。合金材料包括V8W,V7WA1,V6WTi和V4Ti。原始态合金的冷变形量为50％,在经过100-1 100℃......
采用后热区熔工艺的NTD FZ(H)-Si单晶,其退火曲线与常规区熔(氢)工艺控制的NTD FZ(H)-Si单晶退火曲线一样,有氢施主,而采用后冷区......
采用质子轰击使x=0.20和x=0.24 P型Pb_(1-x)Sn_xTe转变为n型。质子能量在200和450千电子伏之间。对于初始浓度低于10~(17)/厘米~3......
本文研究了低能(200～450千电子伏)质子轰击对P型Ph_(0.76)Sn_(0.24)Te的影响。通常发现轰击降低了载流子浓度。观察到自P到n型的载......
块状熔凝石英中的缺陷退火表明,限制速率的步骤是分子类物质的扩散速率。本文提出了MOS器件中出现同样过程的证据,还显示了与栅尺......
本文给出了不同原始材料状况、不同中子辐照剂量对FZ(H_2)硅中氢施主产生的影响和经长时放置的中子掺杂FZ(H_2)硅的退火行为,提出......
有三种方法能在p型锑化铟(InSb)上形成n~+层。这就是:(1)以能量为60keV、剂量为1×10~(15)Cm~(-2)的质子进行轰击;(2)以能量为100k......
氢气氛区熔硅电晶中含有较高浓度(～10~(16)/cm~3)的氢,在常温下,一部分氢与单晶中的硅原子通过硅氢链相结合,硅氢键的存在对硅单晶......
本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退......
本工作用霍尔系数-电阻率测量,研究了不同原始单晶硅和掺杂温度对NTD Si在高温退火过程中电学性能回复的影响。本文给出了几种NTD ......
本文介绍用170SXFT-IR付里叶变换红外光谱仪,测定500～1200℃、4～120小时热处理半导体CZSi的红外光谱.探讨了不同退火条件下Si中氧的......
本文介绍了利用电子辐照技术控制晶体管h_(FE)(共发射极电流放大系数)的新技术,并用DLTS深层瞬变光谱方法研究了辐照后在晶体管中......
用电子顺磁共振在中子辐照氢气氛下生长的区熔硅中观察到一个新的三斜对称缺陷,确定了该缺陷的g张量主值和各主轴在晶轴坐标系中的......
我们采用样品熔融-气体色谱分析方法测得氢气氛区熔的硅单硅中含氢量为1—1.5×10~(17)cm~3,将这种硅单晶放在反应堆内辐照到2×1......
本文报道了退火对非掺LEC SI GaAs晶片的电学性能和均匀性的影响。在850℃以上退火,晶片横截面上的平均迁移率由原生晶体的2.64×1......
本文报道NTD CZ Si从室温到1200℃退火的红外吸收光谱,研究了600～1300cm~(-1)波数区的一些中子辐照缺陷和氧与碳的红外吸收峰的退火......
DLTS测量发现,在原生掺氮区熔硅单晶中,除E_c-0.20eV、E_c-0.28eV与氮相关外,E_c-0.57eV能级也与氮相关.此三能级在低于400℃、经0......
用正电子湮没寿命和多普勒加宽方法研究了中子辐照氢气区熔硅单晶的等时退火行为.观测到324±12ps的寿命组分是正电子在双空位湮没......
本文用Hall效应、电阻率和红外吸收测量研究了热处理NTD CZ Si中的热施主TD和新施主ND的形成和退火行为。中子辐照使表观TD浓度显......
用低温Hall、深能级瞬态谱仪和红外吸收谱仪研究了大剂量中子嬗变掺杂直拉硅中的深能级电子陷阱和浅施主能级。对这些深浅能级的形......
研究了高掺硅的n型GaAs在中子辐照前后和150℃—500℃等时热退火以后的光致发光光谱。观察到在中子辐照后积分发光强度降低为辐照......
用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的......
在5 × 10~(13)中子 cm~2辐照掺硼的p型氢气氛与氩气氛区熔硅以及p型直拉硅中,用结谱法观测到 12个空穴陷阱.其中H_6(0.12 eV)和 H......
常规的IRAN方法太繁锁,而且筛选周期较长.近年来我们进行的大量实验表明:用电子束辐照,电子束退火,可以作为IRAN的一种方法.实验......
