硫钝化相关论文
通过对(NH)S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探......
采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度......
暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对......
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对......
基于第一性原理计算了不同S原子覆盖率下6H-SiC(000(1))的表面能、电荷布局及表面态密度来研究钝化表面的稳定性问题.计算结果表明......
该文主要通过同步辐射光电子能谱及其它辅助分析手段如扫描电镜、俄歇电子能谱和光致荧光谱(PL)等对硫钝化Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表......
作者对在GaAs(100)面上用气相淀积生长方法得到的GaS薄膜进行了结构分析,并对GaS作为绝缘材料制备的MIS器件进行了电学分析.用光电......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的GaAs(100)表面生长的Fe、Co超薄膜与衬底的界面形成及磁性.实验结果表明,......
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对......
研究了硫钝化对GaAs MESFET直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,......
采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高......
利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层......
利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻......
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实......
Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满的解决的问题，８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力，文章对有关硫化技术......
硫钝化对GaAs FET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAs MESFET饱和源漏电流(IDSS)下降的原因,认为硫处理降低了Nd和Nd/N......
锑化镓（GaSb）作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取......
表面钝化是Ⅲ－Ⅴ族半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ－Ⅴ族半导体生长高......
GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 G......
硫钝化是一种有效的钝化ＧａＡｓ表面的方法，本文使用Ｎａ２Ｓ，Ｓ２Ｃｌ２和ＣＨ３ＣＳＮＨ２三种化学试剂对表面－本征层－重掺杂层结构的ＧａＡｓ样品进行了钝化，利用光调制反射谱观察到许多......
本论文主要围绕GaAs基纳米结构的表面态特性和表面修饰方法展开了相关的研究工作。使用硫钝化和表面制备Sb2S3纳米颗粒这两种方式......
利用原子层沉积法（ALD）在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光（PL）测试和原子力显微镜（AFM）测试对样品的......
本文介绍了一种适用于ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ表面钝化的新方法。通过对器件进行硫钝化处理，我们发现钝化能使器件的击穿电压提高和表面漏电减少。我们认......
本文分析了GaSb表面态形成的原因,以及具有这种高表面态密度的表面性质对GaSb材料器件的影响,探索了降低GaSb表面态密度的方法,主......
Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题．８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力．文章对有关硫钝化技术......
对808nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究，发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性．输出功率提高了1......
Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物GaInAsSb材料，随着材料组分变化，它的带隙在1.42～0.1 eV的范围内变化，覆盖了1～3微米、3～5微米、8～14微米三个重要红外......
本学位论文针对中红外波段AlGaAsSb／InGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSb PIN探测器的特点和存在的问题，对激光器和探测器的器件物理、......
利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的ＧａＡｓ（１００）表面生长的Ｆｅ，Ｃｏ超薄膜与衬底的界面形成及磁性。实验结果表明，硫钝化能阻止Ａｓ向Ｆｅ，Ｃｏ超......
砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通......
GaAs是重要的III-V族半导体材料,本文对其进行了湿法硫钝化研究,以提高其光学性质,得出钝化处理20min后,其发光强度为处理前的6倍......
随着微电子产业的飞速发展,CMOS器件特征尺寸在不断缩小,传统的氧化硅栅介质材料/Si体系为基础的MOS器件已经走到了物理极限。一方......
砷化镓微波功率场效应晶体管（GaAs MESFET）是一种在电子行业中广泛应用的化合物半导体器件,它对微波功率器件和集成电路的发展具有很......
学位
