碳化硅(SiC)相关论文
第三代的煤催化气化和等离子体煤气化技术,相比二代、三代煤气化技术,提高了反应速率、提高了产物收率,环境友好,废弃物零排放,是......
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管.通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有......
将不同质量分数的碳化硅(SiC)粉料与超高分子量聚乙烯(UHMWPE)粉料共混制备SiC/UHMWPE复合材料，并将其与GCr15轴承钢配副，通过实验研......
利用金属有机物化学气相沉积系统(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)在n 型SiC 衬底上外延生长AlN 薄膜,厚度约为10......
通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C......
针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影......
p型4H-SiC相较n型4H-SiC具有更高的压阻效应,p型4H-SiC正方形膜片作为弹性元件相较圆形膜片具有更高的灵敏度。基于此,设计了一种......
综述了SiC/Si3 N4 复合粉体的力学性能和制备方法 ,提出了一种制备纳米级SiC/Si3 N4 复合粉体的新方法 ,并通过热力学分析提出了合......
以三氯甲基硅烷(MTS)和H2为前驱体,在沉积温度900～1 050℃,H2和MTS摩尔比为4～20和滞留时间0.4～1 s下,采用化学气相沉积(CVD)工艺研究......
化学气相沉积(CVD)碳化硅(SiC)具有细晶粒、高纯度和高致密性等优点,因此常用于空间反射镜光学致密表面层的制备.在本案,笔者选取C......
研究了研削工艺中磨轮目数对被减薄碳化硅(SiC)表面和欧姆接触的影响,并基于减薄工艺和激光退火工艺成功制备出170 μm薄片SiC肖特......
利用自蔓延法进行SiC粉料合成、物理气相传输法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)高纯半绝缘(HPSI) SiC晶体生长.采用高温下通入HC1和H2的......
为了明确10 kV碳化硅(SiC) pin二极管的正向导通优势,降低器件的比导通电阻,制备了三种10 kV SiC二极管样品——肖特基结、pn结和......
以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法.先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面......
碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节.详细分析了当前国内外业界......
与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度.由于这些优异......
采用物理气相传输(PVT)法进行高纯半绝缘SiC晶体生长,利用高温真空解吸附以及在系统中通入HC1和H2的方法,有效降低了系统中N、B和A......
该文对激光法纳米SiC粉体合成过程中粒径控制,化学成份、剩余碳、超声振荡收集及纳米SiC表面包覆AlO进行了较为系统的研究.在激光......
针对SiC功率金属半导体场效应晶体管如何在实现高性能的同时保证器件长期稳定的工作,从金属半导体接触、器件制造过程中的台阶控制......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
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对碳化硅陶瓷注射喂料进行流变性能分析后得到合适的注射喂料、通过注射工艺和后续的脱脂-预烧结工艺成功制备出压渗用SiCp封装盒......
由于碳化硅(SiC)的材料特性,在极端温度下,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)相对传统硅基器件有突出优势。目前对S......
以Al2O3、Y2O3（质量比为2∶3）为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1 900~1 970℃3、0 MPa下热压制备SiC陶瓷。根据Archimedes原理测量烧......
高温高能离子注入机是宽禁带半导体SiC产业的关键设备，离子源直接影响整机的性能指标。为保证离子源的长寿命和大束流，针对SiC高温高......
半导体器件是电力电子行业发展的基础。作为第三代半导体器件的重要代表,碳化硅(SiC)基功率器件凭借其高击穿场强、高饱和电子迁移......
随着第一、二代半导体器件在材料本征能力方面的不足日益突显,第三代宽禁带半导体器件以其高频率、高耐压、高漂移度以及低电阻能......
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合......
利用凝胶注模成型工艺制备了1.5m量级轻型碳化硅(SiC)陶瓷素坯。研究了颗粒级配、固相含量、混料时间对碳化硅浆料性能的影响。测......
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在宽禁带（wide band-gap）半导体的Si C器件中,为实现1.3k V以上的高耐压,双极性器件被认为是有利的。富士电机公司对模拟的预测与实......
光谱发射率标准参考材料作为光谱发射率量值传递的载体,主要用于校准各种光谱发射率测量装置,提高光谱发射率测量装置的准确度。介......
基于磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀机设备原理,研究了SF6+O2氛围下,不同偏置电源功率、射频(RF)天线功率以及O2和SF6流量比率等......
我国碳化硅(SiC)产能世界第一,但因冶炼方式粗放、行业排放标准缺失等原因,废气大量无组织排放,造成大气环境严重污染。使用半密闭......
随着空间光学技术的发展,传统反射镜材料已经不能满足空间光学系统的要求。碳化硅(SiC)材料以其较高的弹性模量,适中的密度,较小的......
本论文围绕丙烷、乙苯的氧化脱氢中新型催化材料的制备及其表征开展三部分工作。首先是高比表面的SiC的制备及其作为载体在丙烷氧......
近20年来,以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体功率器件具有电气性能和热性能等方面的优势,正在成为硅器件的强力替代品。业界成......
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,......
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC......
为发展低耗和环境友好的有机物降解技术，采用光催化还原制备微米级碳化硅（SiC）/石墨烯复合材料，XRD、FTIR、Raman光谱、XPS和SEM等手段......
作为第三代半导体的其中一种,碳化硅(SiC)具有带隙宽度大、电子迁移率高、临界击穿电场强及发光性能可调等良好的电学及光学性能。......
我国是碳化硅(SiC)生产大国,年产量约占世界总产量的 60%,碳化硅冶炼业也是中西部某些省份的支柱产业。但是,该产业的自动化水平低......
碳化硅(SiC)是第三代(宽禁带)半导体电子材料，SiC金属一半导体场效应管(MESFET)在高温、大功率、高频、抗辐射等领域有着广阔的应用......
