等离子刻蚀相关论文
目的通过在基体表面构建出不同微观结构，提升环氧树脂与钛合金的粘结强度。方法采用等离子刻蚀设备，调节气体流量、处理时间、RF功率......
随着半导体行业的飞速发展,等离子刻蚀技术逐渐成为了制造半导体器件的关键工艺技术之一。然而,含氟等离子体在刻蚀硅晶片的过程中......
难熔金属钽以其优异的耐蚀性能,成为武器装备、生物医药、核工业及新能源等领域广泛应用的关键耐腐蚀材料之一。然而,钽在制备过程......
背腐蚀可以用来取代常规的等离子刻蚀将扩散后正面和背面的PN结分开.本文中背腐蚀使用了HF/HNO3体系,正面没有使用掩膜.用扫描电镜......
本文针对公司电脑硬盘部件磁头的ABS面(气垫面)制造过程中,等离子刻蚀及清洗工艺完成后在ABS面图形边缘发现残留物(小突起,Fencing......
对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6......
研究了一种基于BCB材料的牺牲层接触平坦化技术,用于红外焦平面阵列Post CMOS工艺之前对读出电路表面的平坦化,以利于微测辐射热计......
我们利用非传统的纳米压印技术，结合氧等离子刻蚀构筑高分辨率的导电聚合物图案。在传统的纳米压印过程中，为了得到高分辨率图案......
SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封......
柔性便携式电子产品日益普及，已形成前景巨大的产业链，并吸引工业界和学术界广泛关注。但是性能优异的柔性光电功能材料及柔性导电电......
在目前的MEMS加工工艺中，高深宽比硅刻蚀是最具特色的一项工艺技术，尤其是在体硅工艺中，高深宽比硅刻蚀技术常常用于三维结构的最终释......
光子晶体具有许多特殊的性质和广泛的应用前景，在理论和实验上受到人们的广泛研究和关注。在理论研究方面，人们采用各种数值方法来分......
硅基SOI或SOG技术，结合深层反应离子刻蚀(DRIE)技术制作高深宽比结构，以其工艺简单，结构机械特性好，电容极板面积大等优点，在很多MEMS器......
在当今微电路制造领域，随着工艺过程与设备的日益复杂，以及对工艺可靠性的要求不断提高，使得开发和研究新的制造技术、表征与优化现有......
碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。......
随着微电子技术迅猛发展，它在人们的生产生活中扮演着越来越重要的角色，使得半导体制造行业倍受关注。本文详细地介绍了为中微半导体......
为制备具有优良粘附性能和自洁净功能的仿壁虎聚合物微纳阵列结构，本文在结合壁虎脚掌刚毛的黏附性能与荷叶表面疏水性能的研究基础......
针对常温下的液体在固体表面的润湿行为研究.以液态金属汞为研究对象,采用真空等离子体刻蚀工艺制备不同表面形貌的硅片,研究不同......
非光敏BCB介质具有介电常数小、吸水率低、热稳定性好、力学性能优良、固化温度低,以及表面平坦化特性好等优点,作为重要的介质材......
介绍一种新型的半导体刻蚀方法，这种干法刻蚀采用电子束微细加工进行试验和研究，从而体现出它的优越性和发展前景。......
对材料的结构和性能进行仿生设计、以获得满足某些特定服役环境要求的工程材料是目前材料研究中的热点之一。最近，中国科学院力学研......
研究了SF6等离子体横向刻蚀硅的速率和对SiO2的选择性,主要通过改变SF6气体流量和加入O2,提高硅的横向刻蚀速率和对SiO2选择性.实......
以于要求兼具耐磨耐蚀性能的场合，可以用致密的物理气相涂层替代一般电镀层，为在高速钢上获得具有高耐蚀性涂层，选择了下列2种磁控溅......
在H2＋Ar等离子刻蚀后的C/C复合材料表面进行等离子渗Co和CoNiCrAlTaHfY共渗复合处理,形成CoNiCrAlTaHfY/Co多元复合涂层,通过与刻蚀......
本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向......
The electron field emission from Si tips coated with nanocrystalline diamond films was investigated. The Si tips were fo......
对材料的结构和性能进行仿生设计、以获得满足某些特定服役环境要求的工程材料是目前材料研究中的热点之一。最近，中国科学院力学研......
介绍了一种将聚乙烯醇渗透于碳纳米管中的方法，然后采用等离子刻蚀碳纳米管薄膜制备出了无基底阵列式碳纳米管复合膜。实验发现，聚乙......
Its first equipment based on a Alcatel patented Inductive Coupled Plasma (ICP) source, with independent source power and......
微型泵是一种重要的微型执行器，在微流体供给和控制、微量元素分析、芯片冷却系统等方面将有重要应用。本文利用硅微细加工技术制作......
据悉，对材料的结构和性能进行仿生设计、以获得满足某些特定服役环境要求的工程材料是目前材料研究中的热点之一。最近，中国科学院力......
用Ｎ２气和ＮＦ３反应气体，在较低的刻蚀功率下实现了用薄正性光刻胶ＡＺ１５１８作掩模，均匀，快速刻蚀ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＷＮ，Ｗ等材料的等离子刻蚀技术。利用刻蚀过程中射频参数的变......
利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来......
为了提高聚醚醚酮(PEEK)/碳纤维复合材料的反差,便于研究其精细结构,采用氩等离子刻蚀技术制备适合扫描电子显微镜研究的试样。经......
氧还原反应（ORR）是燃料电池和金属空气电池等能量转换装置的重要反应之一。然而,ORR反应过程非常复杂、反应动力学缓慢,因此需要大量......
本文介绍利用国产DK-P290型等离子刻蚀设备完成的多晶硅膜腐蚀技术的研究。利用SF_6作腐蚀剂,可以得到腐蚀速率超过0.1微米/分的均......
EtchTemp Sen sorWafer^TM是KLA-Tencor的 SensArray业务部推出的下一代现场等离子刻蚀晶圆温度测量产品，它能抓住生产晶圆工艺环境......
在大集成电路制造中常用反应离子刻蚀，但对于加工２００ｍｍ以上直径的片子和０．２５μｍ的线宽及孔洞，它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备（ＥＣＲ，ＩＣＰ，ＨＷＰ）和高浓度......
采用统计实验方法研究了利用SF6＋Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术。在相同的输出功率和压力的条件下，将Si......
对材料的结构和性能进行仿生设计以获得满足某些特定服役环境要求的工程材料是目前材料研究中的热点之一。力学所非线性力学国家重......
除去干刻或高剂量等离子注入后的光刻胶 ,一般是采用化学溶剂和酸类等湿刻法 ,以前有时采用干燥氧的等离子灰化法。然而成本高 ,具......
