LDD相关论文
为了验证激光焊接满足发生器壳体连接要求,开发了光纤激光焊接试验系统,采用2 500 W激光器和LDD激光焊接全过程监测系统优化了安全......
对亚微米及深亚微米常规和轻掺杂漏（ＬＤＤ）ＭＯＳＦＥＴ性能进行研究。制作出常规及ＬＤＤ深亚微米ＭＯＳＦＥＴ。数值模拟和实测发现，对于深亚微米常规ＮＭＯＳＦＥＴ，只要设计适当，可在关......
应用 direct- currentcurrent voltage(DCIV)和电荷泵 (change pum ping)技术研究了 L DD n MOST’s在热电子应力下产生的界面陷阱......
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法 ,用于提取LDDn MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生 .这种方法对于初始样品......
本文着重研究了０．６μｍＴｉＳｉ２ＰｏｌｙｃｉｄｅＬＤＤＮＭＯＳ器件工艺技术．用ＲＩＥ刻蚀获得了０．６μｍ严格各向异性的精细结构２分析研究表明ＴＥＯＳＳｉＯ２膜厚ｔｆ、多晶硅栅的剖面倾角θ是影响侧壁宽度Ｗ的重......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
无线通信系统巨大的能量消耗已经引起广泛关注,以能效为导向的绿色通信设计已成为一个热点研究方向。文中对正交频分多址接入（Ortho......
尽管GUI桌面能够帮助用户利用Linux特性，而无需命令行知识，但如果需要更多的功能和灵活性，熟悉和使用命令是进行Linux系统维护和开发......
The numerical simulation of two dimensional device is conducted to describe the mechanism of the special substrate curre......
FORWARD GATED-DIODE R-G CURRENT METHOD:A SIMPLE NOVEL TECHNIQUE FOR CHARACTERIZING LATERAL LIGHTLY D
This paper presents a simple novel technique-forward gated-diode R-G current method-to determine the lateral lightly-dop......
利用TSMC0.18μm CMOS工艺设计了一块LDD（Laser DiodeDriver）电路,该LDD设计工作频率为15Gb/s,电路采用直接耦合的两级差分放大器结......
目的 探讨六味地黄汤含药脑脊液对Aβ1-40诱导的a7nAChR缺失的保护作用，为六味地黄汤防治AD提供实验依据。方法 观察细胞形态，以MTT......
采用CSMC0．6um CMOS工艺设计实现了速率为622Mbps的4：1复接器和激光二极管驱动器电路。4：1复接器采用树型结构，由3个2：1复接器组成。激......
研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电......
本文提出了一种计算LDD(Light-Doped Drain)MOSFET表面横向电场的解析模型.该模型含LDD MOSFET几何和掺杂参数,可用以计算具有不同......
对LDD MOSFET的两种形成技术——侧向刻蚀和边墙技术进行了分析和比较,证明了边墙技术对控制轻掺杂区域长度具有更高的精确性;同时......
Maxim Integrated Products推出带有模拟LDD接口的SFP＋控制器DS1873。DS1873配合MAX3736激光驱动器使用，能够控制和监测SFF、SFP和SF......
本文对一般的平行板式等离子刻蚀机的电极进行了改进,在改进的刻蚀机上,用CF_4+H_2刻蚀SiO_2,刻蚀速率为700(?)/min,选择性、各向......
本文描述了以国产设备为基础研制出的轻掺杂漏MOS FET.测试结果表明,轻掺杂漏MOS FET能够有效地抗热载流子效应及短沟道效应,速度......
HDI产品激光直接打铜(LDD)工艺对铜厚、棕化效果要求苛刻,否则易出现激光钻孔不良的问题.文章通过树脂材料对比、铜箔型号对比、棕......
本文提出了采用多晶侧壁(PSSWS:Poly-Silicon Side-Wall Spacer)实现LDD MOSFET.研究了反应离子刻蚀(RIE)多晶硅的速率、各向异性......
研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响，随着VD的增加，IGD曲线上升沿不变，而下降沿向右......
测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短......
Catolyst扩展恒流LDD（低压差驱动）产品线,为建筑物、景观、汽车和通用LED照明应用提供一款新型且简单易用的大功率驱动器件。CAT4101......
静态随机存取存储器SRAM面积缩小、尤其是其高度方向缩小的影响因素复杂，受限于多个工艺窗口决定的版图规范。以往研究多侧重线宽小......
本文从干法腐蚀角度出发,首先从数学上分析了多晶硅角度,SiO_2边墙的宽度和高度,衬底损失与各工艺参数间的关系,指出边墙的宽度和......
提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区。并利用......
应用direct-current current voltage(DCIV)和电荷泵（change pumping)技术研究了LDDnMOST'S在热电子应力下产生的界面陷阱，测试......
通过对采用0．18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0．18μm，Tox=3．2......
Lhermitte-Duclos 病(LDD)又称为小脑发育不良性神经节细胞瘤(dysplastic gangliocytoma of cerebellum),是一种罕见的起自小脑皮......
本文用通俗，易懂的语言介绍了DLL的基本概念，并通过实例介绍创建和使用DLL的基本方法。...
Maxim推出带有模拟LDD接口的SFP+控制器DS1873。DS1873配合MAX3736激光驱动器使用,能够控制和监测SFF、SFP和SFP+光模块的所有功能......
针对传统分布式入侵检测系统的缺陷，文章提出了一种适用于无线网络通信环境的新型分布式入侵检测系统模型，详细介绍了其组成部分：逻辑......
本文研究了N型MOSFET在高漏压低栅压条件下的热载流子注入效应。在3．3VN型MOSFET的漏端和栅极上分别加上5．5V和O．65V电压，发现在电应力......
该文提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构，Halo LDD结构能够有效地抑制短沟道效应，合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸......
背景老年腰椎退行性病变(LDD)患者经骨科大手术后易出现气虚血瘀证候,致使运动性疲劳,不利于术后康复锻炼的开展,增加椎管内瘢痕粘......
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件......
近些年来，以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其禁带宽度大、电子饱和速度高、导热性能好等优点，在高温、大功率、微波器件领域拥有......
与传统的Si、Ge和GaAs等材料相比,GaN材料因具有击穿电场高、电子迁移率大、导热性能良好和抗辐照等特点,成为近期功率半导体器件......
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