超晶格半导体相关论文
长波红外探测器在空间遥感探测、气象监测、地球资源勘查、军事探测等多个军事和民事方面都有广泛应用.InAs/GaSbⅡ类超晶格探测器......
宽光谱成像技术在遥感、矿产探测、生物医学等方面具有广泛的应用而备受关注.在分子束外延(MBE）生长的GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格材......
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光......
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs／GaAs量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明，在材料生长过程中，深能级的引入严重影响了......
随着MBE和MOCVD生长技术的发展,已能生长出高质量超薄层的外延材料,使能带工程技术成为目前国内外的热门研究课题。该技术可使光电......
本文主要介绍新颖的GeSi/Si异质结势垒内光电发射长波红外探测器阵列和AlGaAs/GaAs量子阱红外光电探测器阵列的现状、工作原理、典......
本文介绍并讨论一种新型的光—电子器件—不对称的法布里—泊洛GaAs/GaAlAs多重量子阱光反射调制器.其工作原理是基于法布里—泊洛......
通过固体微结构的调制，使晶体材料的物性常数得到调制，若调制波长为微米数量级，可与光波、超声波波长比拟，将会出现一系列新颖的非线性......
提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度......
