X射线双晶衍射相关论文
用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮......
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样......
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品。实验......
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究......
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱......
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(C......
采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显......
本文根据超晶格结构的台阶模型,利用X射线衍射的运动学模型,导出了超晶格的X射线衍射峰的相对光强比.利用X射线双晶衍射方法测定了......
采用X射线双晶衍射与三轴晶衍射技术分析了立方GaN/GaAs(001)外延层的结构特性。GaN(002)、(004)晶面的结构振幅相近,但(002)晶面的......
该论文通过对分子束外延生长动力学的理论分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的外延片的结构进......
宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长发光器件、短波长激光器、光探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用......
ZnO是继Ⅲ-Ⅴ族GaN之后制作短波长发光器件的候选材料。目前p-i-n结ZnO-LED已初步实现,但是离实际应用还存在一定的距离。究其原因......
自20世纪90年代初GaN基LED研制成功以来,随着技术的发展,氮化镓基LED的性能取得了很多突破性进展,日亚公司于1995年宣布蓝光GaN基LED......
第三代半导体材料重要组成成员的GaN材料的应用范围非常广泛,可以用于制作微电子、光电子等多种器件。 本文对MOCVD生长GaN材料......
目前,远程光纤通信技术和网络经济得到了飞速的发展,与之相比,短程光通信的发展却要慢得多。因此,短距离信息传输技术将是未来光电子技......
利用X射线双晶衍射方法,测定了垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料的衍射回摆曲线,除了主衍射峰(“0”级衍射峰外),还观察到一级和二级......
通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用......
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,......
通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/SiHBT的电学特性与晶格结构的关系
The relationship between the electrical properties and ......
获得高质量的n型GaN单晶膜是制作GaN基光电子器件的关键之一。采用立式MOCVD系统生长GaN:Si单晶膜,通过优化生长工艺,获得了电子载流于浓度高达2 ×1019cm-3,迁移......
对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究.结果表明, 室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与......
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤......
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干......
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c-平面上外延生长了Mg_xZn_(1-x)O合金薄膜。在0≤x≤0.2范围内Mg_xZn_(1-x)O薄膜......
采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在......
采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出......
以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680℃时,利用常压MOCVD在GaN/A l2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力......
利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统在 650℃生长出表面光亮的 GeSi单晶 在1200L/min分子泵与前级机械系间串接 450L/min分子泵,改善了生长环境串接分子泵后生长的......
采用卢瑟福背散射/沟道技术,X射线双晶衍射技术和光致发光技术对几个以MOCVD技术生长的蓝带发光差异明显的未掺杂GaN外延膜和GaN:M......
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测......
利用激光显微光致发光光谱仪测试了碲锌镉晶片的室温显微光致发光谱,对测得的光致发光谱进行拟合得到碲锌镉材料带隙的Eg值,根据实验......
对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明,室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强......
采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜.由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X......
利用X射线双晶衍射方法,测定了垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料的衍射回摆曲线,除了主衍射峰("0"级衍射峰外),还观察到一级和二级卫......
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实......
用常压MOCVD在蓝宝石(0001)面上生长了氧化锌(znO)薄膜.用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射/沟道技术等分析......
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜.在0≤x≤0.2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结......
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表......
以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力......
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RH-HEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采......
利用分子束外延(MBE) 技术生长了Ge组份为0.1~0.46的Si1-xGex外延层.X射线衍射测试表明,SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡......
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升......
采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显......
用X射线双晶衍射术研究了玻璃薄层-铂膜-α-Al_2O_3多层结构。发现不同材料的玻璃层,使多层结构因热失配对铂膜产生不同的应力。对铂薄膜电阻器......
介绍了X射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Pendelloesung现象,给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数,较详细地介绍了采用计算机......
用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。实验采用浮舟技术控制晶......
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了......
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长......