超宽禁带氧化镓（Ga2O3）半导体材料禁带宽度为4.5～5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓等半导......

对1200 V碳化硅金属氧化物场效应晶体管(SiC MOSFET)(包括双沟槽型栅极结构、非对称沟槽型栅极结构和平面型栅极结构)的抗浪涌能力......

基于MOSFET的单端反激式拓扑电路原理,讨论了由单端反激电路组成的开关电源在SIMetrix下建立的仿真电路,并进行了仿真研究。为了进......

对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述。从增益单元的设计、匹配网络和低......

目前,开关管MOSFET和IGBT是固态发射机常用的功率放大器,但是选择MOSFET还是IGBT,还是要根据实际需要。论文对额定功率值相同的MOS......

提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的纳米MOSFET量子更正模型，并对拥有不同隐层、不同隐层神经元数的网络的训练精度和速度......

本文提出了一个适合模拟集成电路设计和分析的金属氧化物场效应晶体管模型。它以晶体管反型系数if为基础，表达式具有简洁的形式和良......

随着大功率半导体器件的发展,固态高频电源在容量和频率两方面都得到很大提高,除在一些特殊应用领域(如高频介质加热等行业)外,固......

为了使集成电路按照摩尔定律继续发展下去,新工艺、新结构与新材料等在半导体器件中得到了应用。高迁移率器件就是在新材料方面的......

首先简单地讨论热载流子效应的背景及其物理机制.然后,提出了一种常用的用来推算金属氧化物场效应晶体管的热载流子效应的寿命的模......

讨论了反激电源设计的另外一个方面，即MOSFET场效应管的选择和功耗验证．提出了相应的计算公式与验证流程。该思想也可用于其它电路设......