降低表面电场相关论文
超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体材料禁带宽度为4.5~5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓等半导......
本文研究了一种RFLDMOS的热载流子注入效应,分析了热载流子注入效应对器件性能以及可靠性的影响,并提出了改进方案.利用TCAD仿真软......
近年来,高性能LDMOS在工业和军事领域得到广泛应用。随着技术指标的不断提高,高性能LDMOS的设计不但要求结构创新,也要求更有效率的设......
提出了一种利用高能离子注入形成的700V三层RESURF结构nLDMOS。与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂......
基于BiCMOS工艺,提出了一种N沟道结型场效应晶体管(NJFET).该NJFET通过在MOS管的栅极与漏极之间的N阱层上注入P型杂质,形成P型底部......
提出了一种新型4H—SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管结构。阳极凹槽使器件反偏时横向电场增强,加快漂移区耗尽。同时,利用D-RESURF......
降低表面电场原理可大大提高LDMOST的器件性能。本文详细研究了用RESURF原理设计的LDMOST的开态电阻与击穿电压的理论分析模型,并根据这一模型对RESURF LDMOST的优......
基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击......
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Poisson方程.获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电......