铝诱导晶化相关论文
本文报道一种新的多晶硅(Poly-Si)薄膜材料制备方法-AIC法,研究寝材料的掺杂浓度对晶化效果的影响.结果证明:在250℃下可以在玻璃......
本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅......
采用铝(Al)盐溶液作为诱导源进行了非晶硅晶化成多晶硅的研究.光学显微镜观测与Raman光谱分析表明,合适配比的铝盐溶液能够将非晶......
为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温......
随着社会经济的发展，能源与环境之间的矛盾日趋严重，因而，开发可再生的替代能源成了必然的发展趋势，太阳能电池作为新能源中最有发展前......
多晶硅薄膜结合了晶体硅的高转换效率和非晶硅薄膜的低制造成本的优点,被认为是一种性能较为优异的光伏材料。制备多晶硅薄膜的方......
低温制备非晶、纳晶硅和多晶硅薄膜对于光电器件集成和大面积微电子器件成本降低方面有重要意义。本论文工作的主要内容和结论如下......
根据热力学第二定律的Gibbs自由能描述,理论研究了铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜的铝诱导层交换(ALILE)机理。用数学模型描述了AL......
实验采用glass/a-Si：H/Al结构,在厚100 nm非晶硅膜上蒸镀了不同厚度的铝膜,利用铝诱导晶化法晶化非晶硅薄膜,结果发现经380℃退火后......
以超白玻璃为衬底，采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜，经自然氧化形成二氧化硅层，最后利用磁控溅射法在不同衬底温度下沉积铝膜......
在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积1～4μm厚的α-Si薄膜(基底沉积温度为300C,沉积速率为1.0μm/h),然......
以康宁Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了不同硅铝厚度比的非晶硅/二氧化硅/铝叠层,在氩气保护下于450℃退火一定时间,制备......
采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜,再通过铝诱导晶化的方法制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸0.5～5μm、晶化率达到8......
利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积硼掺杂P型非晶硅薄膜，采用铝诱导晶化法（AIC）在氮气气氛保护下进行退火处理制备出P型多晶硅薄膜，研......
利用PECVD设备在普通玻璃基片上沉积a-Si薄膜，采用铝诱导晶化法（AIC）在氮气气氛下进行快速退火处理制备出poly-Si薄膜。研究了不同的......
采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜......
采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜，通过对Glass／Si／SiO2／Al叠层结构进行铝诱导晶化（AIC）制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱（XRD）、......
采用玻璃／氢化非晶硅（a—Si：H）以吕结构，在低温（≤350℃）下，应用铝诱导晶化法（AIC），形成了纳米硅（nc-Si）．利用X射线衍射（XRD）光谱、拉曼（Raman）光谱和......
应用晶化非晶硅（a—Si）薄膜铝诱导方法，采用X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）、光学显微镜（Optical Microscopy，OM）和原子力显微镜（Atomic F......
通过金属铝诱导非晶硅晶化技术,在玻璃衬底上获得了[111]取向生长的多晶硅薄膜。研究了Al诱导Si取向结晶生长所需的退火温度和时间......
以氢气稀释的硅烷(SiH4)为气源,利用PECVD方法在普通玻璃基片上生长a-Si薄膜.采用外加横向电场辅助的金属铝诱导晶化的方法,在氮气......
铝诱导晶化（AIC）法是一种低成本、低温制备高质量多晶硅薄膜的方法.采用磁控溅射和自然氧化法在石英衬底上生长铝/三氧化二铝/非晶硅......
铝诱导晶4g（AIC）技术制备多晶硅（Poly-Si）薄膜因处理温度低、退火时间短，且所制备的薄膜晶粒尺寸大而受到广泛关注。阐述了AIC法制备Pol......
导致铝的使结晶的硅电影被磁控管劈啪作响在玻璃底层上准备。铝被一个铝目标劈啪作响的常规脉搏间歇地在硅电影增加。在硅电影的铝......
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法，叙述了铝诱导晶化法制备......
采用磁控溅射方法沉积了Al/Si薄膜,通过自然氧化形成中间层,再结合快速光热退火制备出微晶硅.研究了铝诱导非晶硅晶化的两个热力学......
以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/Si O2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的（111）择优取......
铝诱导晶化法（AIC）是一种低温制备大晶粒多晶硅薄膜的重要方法。本文分别基于Al/Al2O3/a-Si叠层和a-Si/SiOx/Al叠层制备了AIC多晶硅......
采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜,并用快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶......
多晶硅薄膜不仅具有单晶材料的光照稳定性,而且具有非晶薄膜低制造成本的优点,被认为是一种高性价比的光伏材料,在太阳能电池领域......
多晶硅在光电子器件领域具有较为重要的用途。利用磁控溅射镀膜系统,通过共溅射技术在玻璃衬底上制备了非晶硅铝(α-Si/Al)复合膜,......
先在玻璃衬底上制备Mo、掺锡氧化铟(ITO)和掺铝氧化锌(AZO)导电电极材料,然后分别以普通玻璃、玻璃/Mo、玻璃/ITO和玻璃/AZO为衬底......
为了考察硅铝界面氧化铝膜对铝诱导多晶硅的影响,本文用磁控溅射方法制备了界面有无氧化铝膜的硅铝复合结构。XRD测试表明两种铝诱......
非晶硅、多晶硅太阳能电池具有很高的性比价优势。本论文通过优化薄膜沉积的工艺参数，用磁控溅射技术制备硅薄膜，以期能够得到高质量......
本论文研究在廉价的玻璃衬底上利用铝诱导晶化非晶硅(a-Si)薄膜制备多晶硅(poly-Si)薄膜。样品采用glass/Al/a-Si:H结构,研究了退......
本文依据马普金属研究所对铝诱导晶化机制的理论基础,通过制备不同Al层厚度的Al/a-Si:H叠层样品的晶化结果来探究铝诱导氢化非晶硅......
通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization,AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2×1018cm-3),不适宜作为薄......
