蒸镀法相关论文
目前导电性薄膜的制造方法大致有非溶液法和溶液法两种。非溶液法有蒸镀法、溅射涂膜法、化学气相淀积法(CVD法)等,这些方法都能......
据最近报导,到1995年美国碳/碳复合元素碳组成的。材料的销售量将增长11％,年销售额将达到4亿美元。与其他复合材料相比,碳/碳复合......
本文采用真空瞬时蒸镀加氧化热处理方法在玻璃和硅衬底上生长出ＩＴＯ）铟锡氧化物薄膜。电阻率～１０￣（－２）Ωｃｍ，可见光区几乎透明，透射率达９４％（６３２８Ａ单色光源）。采用......
在超高真空（１０￣（－７）ｐａ）条件下用双源蒸镀法在单晶Ｓｉ和ＮａＣｌ衬底上制备了一系列Ｆｅ、Ｄｙ原子配比的成分调制多层膜。用卢瑟福背散时（ＲＢＳ）和俄歇能谱（ＡＥＳ）分析成分沿厚度......
镀氮化钛高速钢滚刀用物理蒸镀法在高速钢齿轮滚刀刀齿上镀氮化钛和碳化钛工艺,近年来在日本已得到迅速发展和广泛应用。高速钢滚......
立方氮化硼是一种人工合成矿物,具有与世界上最硬的金刚石相同的硬度,它绝大多数供制造超硬刀具使用。但是,其制造方法与人造金刚......
日本京都大学工学部工业化学科渡边信淳教授研制成功了一种采用六氟化钼的化学蒸镀(CVD)法,在500～650℃低温下制取有金属光泽、优......
一、前言随着工业、特别是航天、航空、国防等工业的发展,对材料提出的要求越来越多,越来越高,仅靠研制新材料是不可能满足的。表......
利用电子束蒸镀技术在石英玻璃上沉积SnF_2掺杂SnO_2(FTO)薄膜。研究了不同退火温度对FTO薄膜结构和光电性能的影响。研究结果表明......
最近日本工业技术院电子技术综合研究所的电子加工研究室采用大功率二氧化碳激光器,通过陶瓷蒸镀法制造成功超硬质非晶体氮化硼薄......
最近,日本三菱电机公司开发了在机械零件表面蒸镀优质陶瓷薄膜技术,从而提高了机械零件的耐磨损性、耐热性及润滑性。过去,在真空......
真空镀(涂)层处理的干式处理新技术在工具和金属模喷涂耐磨陶瓷涂层、眼镜等的着色涂层方面已得到广泛应用。近年来,为了将该技术......
溶液法制备的有机发光二极管(OLED)虽然有着制作成本低、材料利用率高以及容易大规模生产等优势,但是在器件效率上离传统高温真空......
日本藤仓公司与超导技术研究所合作开发成功高速制造超导线材新技术,每小时可生产超导线材约10米,制造速度比过去提高约20倍。 藤......
离子镀技术是真空物理蒸镀法之一。特别是把化合物膜涂敷作为目的的反应性离子镀技术,在较低温度下,能容易地进行“TiN”、“TiC”......
日本三菱电线工业公司开发成功了采用溶胶法制造钇—钡—铜等具有优良特性的高温超导薄膜。这种膜的厚度为3～4微米的高温超导薄膜......
利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理．X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为I......
建立了一套新型物理喷束淀积装置，并且成功地进行了薄膜制备工作。所制备的薄膜包括C60，C70，PVK，PVK／C60等薄膜，并测量了物理喷束淀积技......
对用不同方法制备的软Ｘ光激光实验用的Ａｌ衰减膜样品，用Ａｕｇｅｒ电子能谱（ＡＥＳ）结合氩离子束刻蚀进行了组分的表面和深度分布分析，结果表明表面氧化层主......
本篇综述SiOx镀膜材料的生产工艺 ,以及影响其性能的各方面因素 ,包括基材性能、基材预处理、工艺条件等
This review summarizes......
本文利用表面等离于体技术和导模技术测定了银膜、SiO膜的介电常数和厚度,从而确定了液晶的介电常数和液晶盒厚度。首次将集成光学......
通过倾斜蒸镀ＳｉＯ，获得对铁电液晶分子的均匀定向。液晶单池的对比度达１５０１，响应速度达６０μｓ，并具有良好的双稳性能。利用该定向方法制成的６４×６４电寻......
日本HOYA公司与美国共同研制成玻璃磁盘.这种磁盘的存储容量是现行铝制磁盘的备5～10倍,价格与高密度的铝制磁盘大致相同.制作方法......
2.9 陶瓷上的电路的剥落现象与问题在用蒸镀法或其他方法将各种金属元件如电极镀于绝缘体上构成电路时,须接引出线,而在接引出线......
本文用蒸镀法制备了Sb_2Se_3。光盘记录介质膜,用背散射分析测定了介质膜的成分。在210℃热退火过程中,Sb_2Se_3膜的光透射率从32％......
将硅烷、氩、氨等作源,利用等离子气体强化化学蒸镀法在硅太阳电池上形式硅氮化物系防反对膜。 C.C.Johnson等人将硅太阳电池置于......
为了研究强磁场对蒸镀法制备Co3O4薄膜结构影响,以提高该材料的取向性,改善Co3O4薄膜的磁学性能,该文以99.99%的Co为原料,分别在无......
本文特别介绍了各种成膜法中的等离子体CVD技术以及最近研制成功的通过外加磁场来控制等离子体的CPM(Controlled Plasma Magnetron......
日本三菱公司在世界上领先制成了碳-60单晶薄膜，可作为一种新型的半导体材料。三菱公司的科技人员在20℃温度下，以白云母为衬底，用ICB......
早在1979年,为了解决应用于高温高真空环境下的轴承的自润滑问题,我们就着手采用
As early as 1979, in order to solve the pro......
碱性焊条的吸潮问题严重影响焊接质量。采用蒸镀高级脂肪酸(硬脂酸、棕榈酸、肉豆蔻酸、月桂酸)的方法对焊条进行表面处理制备了抗......
CD、LD、VCD、S—VCD、DVD等激光头产品的家电实在是太普遍了,激光头是小巧而精致的易损件,那么业余维修者与广大用户怎样维护激......
本文评述了近年来PDP工艺中的MgO(氧化镁)保护膜制作的技术进展,重点讨论了电子束蒸镀法与其它保护膜制作工艺的区别以及影响电子......
日本工业技术院电子技术综合研究所研制成一种微小的霍尔元件,其大小仅为0.25μm。以前使用掩膜的方法,由于受掩膜加工及注入离子......
本论文采用溅射和蒸镀方法沉积了Zn/S/Zn(ZSZ)三层结构薄膜,然后通过在1atm压力的Ar气氛中退火制备出ZnS薄膜。利用X射线衍射仪、......
以真空混合蒸镀和交替蒸镀法在K9玻璃基底上制备了TeOx∶Ge单层薄膜和Ge/TeOx双层薄膜.使用光谱仪、X射线衍射仪等对初始、250℃退......
采用蒸镀法在Si(001)基片上制备晶粒尺寸35 nm,RMS表面粗糙度优于11 nm的Be薄膜。蒸发温度由1 050℃升高至1 150℃时,Be薄膜表面形......
本文综述了由磁性和非磁性层交替重叠构成的金属磁性多层膜通常具有的界面磁各向异性、磁性层间耦合、维度效应、巨磁电阻效应，巨隧......
电子束蒸镀装置中，离子镀装置被用于MgO膜形成工艺中。以前，MgO膜是通过电子束(EB)蒸镀法而形成的，近期涌现出了采用离子镀法成膜的PD......
