PBTI相关论文
近几十年来,在硅（Si）基金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）尺寸等比例缩小的推动下,集成电路性能得到了蓬勃发展。进入深亚微米技......
随着工艺水平的提高,纳米MOS器件凭借性能高、功耗低、集成度高的特点广泛应用于航天器电子设备系统中。然而,航天器电子设备所处......
The influence of positive bias temperature instability(PBTI)on 1/f noise performance is systematically investigated on n......
