硅片键合相关论文
近几十年来,在硅（Si）基金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）尺寸等比例缩小的推动下,集成电路性能得到了蓬勃发展。进入深亚微米技......
描述了低温硅片直接键合（ＬＴＳＤＢ）的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微镜（ＨＲＥＭ）和表面电离质谱分析（ＳＩＭＳ）的方法对键合界面特性进行了研究。用ＨＲＥＭ图象观......
提出了用红外热像无损检测ＳＤＢ界面空洞和定量检测界面键合强度的方法并与破坏性拉力实验和喷砂造型法对照，证明了该方法的可行性。
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ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）技术被认为是２１世纪的硅集成电路技术．近年来，国际上出现了一种引人注目的ＳＯＩ制备新技术———智能剥离（Ｓｍａｒｔｃｕｔ）技术．它的出现为解决ＳＯＩ技术中质量......
结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍ ａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍ ｍ 的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ ，比普通的抛......
重点介绍了在微机械加工中碰到的带图形硅片键合工艺，测量了不同表面处理和不同退火条件下的表面能，估算了封闭腔内的剩余压力和腔体......
针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出......
报道了用氦离子注入智能剥离形成SOI结构硅片的新技术，介绍了这种技术的工艺和用剖面透射电镜研究的结果。氦离子用等离子体浸没离......
新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采......
硅片键合技术作为一种将表面硅微机械加工和体硅微机械加工有机结合的工艺,是目前微机械加工的研究热点。而电射流打印作为最具潜......
采用环氧树脂作为中间层的真空键合技术实现体材PZT与硅片键合，再利用机械化学抛光方法将PZT减薄到适当的厚度制备了PZT铁电厚膜，构......
一种可在极宽温区(-40℃至250℃)工作,并重复性和再生产性在全程范围好于±0.1%的高精度压阻式压力传感器研制成功.该芯片的制作基......
用SIMS和扩展电阻测试研究了常规p~+/n和n~+/n硅/硅键合界面的杂质O,H,C,N,Fe,Ni以及掺杂原子B,P的行为。经1 100℃ 1小时键合后,......
本文简述了场发射真空微二极管的工作特点、结构参数设计考虑及制备工艺技术，对键合法制备的样品进行了测试分析：起始发射电压５～６伏，反向......
本文主要介绍将H离子注入到高阻单晶硅片后再与另一硅片键合并进行热处理形成SOI(silicon on insulator)材料.利用该SOI材料,在其S......
目前,半导体力敏传感器大多采用在n型硅单晶上进行硼注入或硼扩散,形成四个扩散电阻,将这四个扩散电阻连接成惠斯登电桥,当无压力......
新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战,并促使了满足新加工要求的制造能力的发展.根据目前MEMS制造中普遍采用......
介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理、键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等
The direct bonding process, bond......
用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构。绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合......
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大......
硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要......
本文主要研究硅片直接键合界面结构与应力大小.当抛光硅片直接键合时,界面出现极薄的过渡区,并存在微小的晶向差,但不引起多余应力......
硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片，硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法，硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工......
本文简要介绍了硅片直接键合(SDB)技术和pn结自停止电化学腐蚀减薄新技术以及该技术在传感器中的应用。......
本文简述了场发射真空微二极管的工作特点、结构参数设计考虑及制备工艺技术，对键合法制备的样品进行了测试分析：起始发射电压５～６伏，反向......
利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,......
采用在阳极化反应时改变电流强度的办法，在高掺杂的P型硅（111）衬底上制备了具有不同多孔度的双层结构多孔硅层。用超高真空电子束蒸发......
新型MEMS应用领域的发展为现有的制造技术带来了很大的挑战，并促使了满足新加工要求的制造能力的发展。根据目前MEMS制造中普遍采用......
为了将硅片与硅片有效的键合在一起,研发了一款硅片键合设备。介绍了硅片键合原理及硅片真空键合设备的主要技术指标、设备结构、......
报道了一种新型半绝缘键合SOI结构，采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构．研制出的这种新结构，完整率大于8......
本文讨论了键合工艺及键合界面的存在对功率晶体管饱和压降的影响，指出严格的控制各种沾污，适当的选择衬底材料可降低界面垫垒。实验......
本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究，根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实，提出了键盒介面的吸杂试验，分析了......
提出了键合过程中硅片接触的一种弹性形变模型.接触硅片表面的周期性应力场决定着接触表面形貌的变化.Airy应力函数给出了满足键合......
在Si／Si之间采用Ti／Au金属过渡层，实现了Si／Si低温键合，键合温度可低至414℃．采用拉伸强度测试对Si／Si键合结构的界面特性进行测试，结果表......
本书着重介绍了硅微加工技术中应用的各种方法，包括各向异性湿法化学腐蚀，硅片键合，表面微机械加工，硅的各向同性湿法化学腐蚀，......
评述了国内外ＳＯＩ材料技术现状及发展动向，重点介绍超薄硅层ＳＯＩ材料中进展最快的氧注入隔离和硅片直接键合基片的性能及制备工艺技术，初步探......
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路......
用横断面透射电子显微术（ＴＥＭ）研究了用键合方法获得的ＳＯＩ材料的界面结构，绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀，Ｓｉ膜／ＳｉＯ２以及ＳｉＯ２／Ｓｉ基体的界面平直且结合紧......
介绍了硅片的直接键合工艺，键合机理，键合质量评价方法以及键合技术目前的研究和应用状况等。......
