ZNO晶体相关论文
采用水热法,以CoCl2·6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS......
有不同瞬间掺杂物集中的一系列做瞬间的 ZnO 光催化剂被一个磨锻烧方法准备了。这些光催化剂的结构被许多方法描绘，包括 N2 物理吸......
采用水热法合成Zn0.95Co0.05O稀磁半导体粉体,讨论了矿化剂NaOH的浓度分别为1mol/L,2mol/L,3mol/L,反应温度分别为180℃,200℃,220......
根据ZnO晶体的结晶特性，研究设计出一种无籽晶石英生长安瓿，其关键技术参数为：自发成核区采用多区间淘汰，分别设置籽晶淘汰区、籽......
本文利用醋酸锌-KOH体系利用单步水热法合成了ZnO粉体结构.在保持其它生长条件一致的情况下,通过不同的生长时间得到了双六角盘状......
ZnO晶体为六方晶系纤锌矿结构,是一种宽禁带直接带隙半导体.由于其在室温下的禁带宽度和激子束缚能则分别高达3.37 eV和60 meV,这......
本文采用X射线漫散射方法和光电子谱研究了注砷ZnO晶体中点缺陷的类型、结构及其退火后的变化.退火前,注入的As占据ZnO晶格的O位、......
本文综述了晶体的能带特性，导带电子和价带空穴，ZnO晶体的本征缺陷和杂质缺陷，提供了利用掺杂来控制电性能的可能性。......
现代电子技术的进步,对微纳米结构的控制制备提出了要求。本论文通过热蒸发方法研究了SiO2纳米线生长、微米尺度ZnO准二维片状结构......
随着红外隐身材料研发与应用的重要性与日剧增，红外隐身涂层成为红外隐身材料的热点，如何设计和制备具有低红外发射率和工程应用性能......
在宽禁带半导体领域中,继GaN和SiC之后的研究热点是一种在蓝光、紫外、近紫外波段的光电子器件极具潜力的光电子材料,ZnO。它是一......
ZnO是继GaN之后又一重要的直接宽带隙半导体材料，在蓝紫发光和自旋器件（掺入磁性离子）方面具有巨大的应用潜力。 本文采用化学气相......
本论文简要综述了国内外关于材料物态方程及其热力学特性的研究现状和最新进展，以地球下地幔重要组成物质MgO和ZnO晶体材料为研究对......
为了揭示Mg掺杂影响ZnO带隙的物理机制及高压对ZnO微结构、电子结构和发光性质的影响机理，本论文采用MaterialsStudio计算软件中的C......
利用飞秒激光对ZnO晶体进行辐照,对辐照前后的晶体样品进行发光光谱及拉曼光谱检测.辐照后发光光谱的某些发光峰强度有明显增强,但......
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0......
用建立在强场图像和自旋 轨道耦合机理的高阶微扰公式研究了ZnO晶体中Mn2 +和Fe3 +杂质中心的零场分裂 .研究发现 :Mn2 +和Fe3 +离......
ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法。本文对水热法生长的面积约150mm......
烧蚀条件对飞秒激光脉冲诱导氧化锌纳米结构有重要影响。研究了800nm,150fs,250kHz的飞秒激光脉冲分别在空气中,去离子水中以及无......
晶体电子衍射花样涉及到界面、位错等缺陷的晶体学性质测定时，需要设法消除180°不唯一性这一问题.应用Tecnai G2 F20场发射透......
以不同Zn盐Zn（CH3COO）2.2H2O,ZnCl2,ZnSO4.7H2O,Zn（NO3）2.6H2O与不同碱NaOH,KOH为原料,制得Zn（OH）2-4前驱溶液,使之在水热环境下分解,生......
Selective hydrogenation of benzene is an atom economic green route to produce cyclohexene. The control of Zn species is ......
We performed the high-pressure Raman measurement of the three nanosized ZnO crystals. We found the smaller the size, the......
采用升华法制备出ZnO晶体，并对其XRD图谱和拉曼图谱进行了研究分析。测得的XRD图谱显示在2角为34．5602°处的（002）面的谱峰尖锐，半......
近几年,由于在惯性约束聚变诊断,核反应机理和时间飞行正电子发射断层扫描（TOF-PET）等多个重要领域具有潜在的应用,ZnO基超快（衰减时......
采用水热法,以CoCl2.6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜（SEM）及X射线能谱仪（XREDS）对合......
基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为，发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术．通过优化生长参数，获得了尺寸为......
飞秒激光照射半导体、金属等材料,能够诱导材料表面纳米周期结构,有效地改善材料电学、光学、力学等特性。这一方法突破了激光加工......
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在（00......
采用醇解法,在130℃的甲醇溶液中分别合成纯的和Al掺杂纳米氧化锌（ZnO）晶体。使用X射线衍射仪,透射电子显微镜,Fourier红外光谱和偏......
采用水热温差法进行ZnO晶体的生长研究,分析在不同温度压力和矿化剂条件下分别合成几十纳米ZnO晶体和径向尺寸和高度到毫米级的ZnO......
ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法.本文对水热法生长的面积约150mm2......
本文采用化学气相输运法在常压开放系统中以（0001）蓝宝石为基片制备出定向生长的ZnO晶体。以ZnO粉体为原料，NH4Cl为输运气体，O2和H2O为......
本文采用水热合成法，以3mol／LKOH为矿化剂，填充度为35％，分别在ZnO中添加SnCl4·5H2O、CoCl2·6H2O、NiCl2·6H2O作为前驱物......
固体表面的结构对其物理、化学、力学以及生物等方面的性质具有重要影响。飞秒激光表面加工技术作为一种新兴的加工技术,可以应用......
ZnO是一种多用途的半导体材料。传统上，被广泛应用于声表面波器件（SAW），体声波器件（BAW），气敏元件，变阻器，透明电极等。和GaN相比，ZnO的缺陷......
利用水热反应，在430℃，40Mpa，24小时内无温差自生晶合成了毫米级ZnO晶体，研究了温度、矿化剂浓度、矿化剂种类对ZnO结晶形貌和生长质量......
本文采用水热法,以3mol/L KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物(Zn(OH)2或ZnO)中分别添加一定量的NiCl2·6H2O, FeSO4......
本文采用水热法对ZnO晶体进行了稀磁性掺杂,其方法是在Zn（OH）2或ZnO前驱物中掺入一定量的过渡族金属氧化物或氯化物,在较高浓度的矿......
本文采用水热法,以3mol·L-1KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物（Zn（OH）2或ZnO）中分别添加一定量的MnCl2·4H2O,CoCl2·6......
以高纯氧化锌粉为升华源，采用物理气相传输法（PVT）法在1500℃下生长出了ZnO多晶体，生长速率达0．24mm／h。样品XRD测试和拉曼分析表明，无籽......
