杂质缺陷相关论文
采用密度泛函理论研究了(羟基)水合Y离子在高岭石(001)面的外层吸附和内层吸附行为,分析了其微观键合机理,并考察了表面常见杂质缺陷存......
焦硅酸镥掺铈(LPS:Ce)具有突出的闪烁性能,比如高光产额和快衰减,但晶格中的氧空位会影响其闪烁性能.本文通过第一性原理方法研究了L......
本文主要报告我们近几年在发展磁光光谱实验技术、研制红外磁光测试系统和通过红外磁光光谱研究HgCdTe、GaAs、Si等半导体的能带结......
铸锭中存在着氧,氢,金属杂质,位错,晶界等缺陷类型,根据这些杂质缺陷类型,研究它们对切片过程中产生不良品的影响,在硅片生产中避......
在点源热脉冲传热模型的理论基础上,采用格林函数法建立了由于单个杂质缺陷吸收引起的温度场模型,得到了杂质附近温度场的解析表达......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,制备出碳纳米管薄膜,利用扫描电镜(SEM)对其进行表征。结果表明:催......
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了含空位和杂质缺陷的LiFePO_4电子结构,通过能带、态密度、布居分布分析,阐明缺陷及阴离子......
用傅里叶变换红外吸收谱和透射谱(FTIR),在77K和300K温度下测量研究用双离子注入法配合优化热退火处理制成的GaAsEr,O发光材料的光吸收特性及杂质缺陷行为......
报道了散射颗粒、焦斑面积和非线性吸收等对KDP晶体激光损伤的影响。研究了KDP晶体的多脉冲损伤。
The effects of scattering particle......
采用宏观检验、化学成分分析、力学性能检验、金相检验等方法对离心机转鼓产生裂纹的原因进行分析,结果表明:应力腐蚀是裂纹产生的......
半导体硅片尺寸呈现不断增大的趋势。从全球的情况看,直径200mm的硅片生产量最大,直径300mm的硅片以30%以上的速度增长,直径450mm(......
第1期(总第82期)稀土铝合金在草酸溶液中的阳极氧化及膜层性能的研究····························......
河北省自然科学基金项目(基金号:596028)“辐照直拉硅中杂质缺陷相互作用研究”课题,日前通过河北省科委组织的技术鉴定.该课题是由李养贤教授......
通过对一系列106μmHfO2/SiO2全反膜样品进行的激光损伤阈值测试,以及二次离子质谱杂质含量测定的结果进行的比较分析,提出了减小膜系制备过程中......
第五届全国半导体物理学术会议于1985年12月3日至6日在厦门召开.来自全国各高等院校、科研单位和工厂的二百余名代表出席了本届大......
提出一种测量HgCdTe量子电容谱、研究共振缺陷态的方法.利用高精度差分电容测量方法,在4.2K下测量了一系列受主浓度为3×10~(16)~4......
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比......
杂质引起的各种缺陷,对锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12)简称BGO 晶体的光学质量产生严重影响。本工作利用透过光谱比较、光学显微术、扫描电......
本文综述了晶体的能带特性,导带电子和价带空穴,ZnO晶体的本征缺陷和杂质缺陷,提供了利用掺杂来控制电性能的可能性。......
本篇文章主要结合环氧树脂浇注绝缘件的生产工艺过程,从人、机、料、法、环几个方面采用鱼骨刺图工具进行分析,整理出影响环氧树......
中国物理学会委托厦门大学物理系组织筹办的第五届全国半导体物理学术会议于1985年12月3-6日在厦门市举行.来自全国各地的研究所、......
锰锌铁氧体是软磁材料中最主要的组成部分,在磁性材科中占有相当大的比重,用锰锌系铁氧体磁性材科做成的电感磁芯及磁性器件,应用频率......
随着锌资源的逐渐减少,迫切需要对复杂难选的锌资源进行开发和利用。对选矿过程中的一些基本现象进行分析和解释,以往是通过大量实验......
光电子材料作为光电子学科和产业的基础和先导,一直以来是科研关注的一个重点。半导体光电子材料作为早期就投入研究的主体材料,在信......
铌酸锂晶体是一种性能优良的电光晶体,其在集成光学、非线性光学及光子学等领域有重要的应用,但由于其本身微观结构的特殊性,使它......
本文主要报告我们近几年在发展磁光光谱实验技术、研制红外磁光测试系统和通过红外磁光光谱研究HgCdTe、GaAs、Si等半导体的能带结构,杂质缺陷,声......
经过广泛的证实,砂型内金属液过滤是生产无杂质缺陷优质铸件的关键。线状浮渣,特别是硫酸镁、氧化物和硅酸盐浮渣,这些非金属夹杂物能......
温度在1250-1800℃范围内,压力为6.5 GPa的合成条件下,采用膜生长法在羰基镍粉触媒中研究了工业级金刚石合成。实验结果表明:随着合......
缺点严重影响光性质和 CVDZnS 的机械性质。免职技术被介绍,象 SEM, TEM 和 OM 那样的实验方法被采用学习缺点:六角形的阶段,反常地大......
用Laplace缺陷谱仪(LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中Sn DX 中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因于混......
油漆或粉末涂装涂层表面的杂质缺陷是常见的涂装质量问题,其中毛絮状物质的影响往往容易被忽视,因为毛絮状物质的来源多样解决起来......
本论文对具有良好抗辐照性能的单相浓缩固溶体合金(SP-CSAs)及纯钨等典型核用金属结构材料中的缺陷行为进行了系统研究。首先应用......
采用有限元方法对220kV高压电缆户外终端电场分布进行计算,研究表明:应力锥上表面的电场强度过高,户外终端安装过程中的杂质附着在......
本文测量了纯铌酸锂和高掺镁铌酸锂晶体的低温红外光谱,观察了OH^-吸收峰的温度依赖特性。研究发现纯铌酸锂的OH^-振动吸收峰基本......
本文利用红外吸收光谱、电子探针和X荧光光谱测量分析了GaAs中In、Cr、Si、Te、12~C、13~C等杂质。讨论了等电子掺杂、多重掺杂及......
本文综述了近十多年以来对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中深能级杂质缺陷的研究工作。讨论了深能级杂质缺陷对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件的性......
测量了同成分纯铌酸锂的低温红外光谱,发现低温下铌酸锂晶体将会出现位于3200 cm-1左右的新红外吸收峰.研究发现该峰与晶体中的氢......
光学薄膜是激光系统中不可或缺的元件,但在强激光作用下薄膜本身极其脆弱极易发生损伤。为了解决这种矛盾性,必须提高薄膜的抗激光......
相比于Ga面GaN基外延材料,长期以来N面GaN基外延材料的表面形貌与结晶质量均很不理想。然而,通过研究人员的不懈努力,在2007年前后......
研究了单掺铁铌酸锂晶体的光致散射行为随锂组分以及温度的变化关系.实验表明,随晶体组分的升高,光致散射得到了大幅抑制;不同组分......