外延生长过程相关论文
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中科院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室纳米和界面研究组采用自行研制的深紫外激光光发射电子显微镜(DUV-PEEM)等手段,......
据国家自然科学基金委员会1996年7月25日报道,我国科研人员自行设计、加工的我国第一台激光分子束外延设备已在中国科学院物理研......
在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单......
Bandwidth9的研究人员已开发出第一台单片集成电路长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。这台单横模器件发射波长为1.6μm,完全能在一个适合于批量......
据《化合物半导体》2010年2月4日报导,IQE推出新款4英寸GaSb产品。GaSb材料广泛应用于热能转化电能产品中,包括红外激光二极管、探......
目前在原子尺度上人们对量子点分子束外延生长过程了解很少,所有关于量子点外延生长的理论模型和计算机模拟都是建立在传统的外延......
在液滴外延生长过程中金属液滴承担着生长前驱体的角色,直接决定着后续量子环、量子点、纳米线等量子结构的密度、尺寸、位置等参......
从底电极的选择、过渡层的引入、外延膜的生长、取代阳离子的改性四个方面介绍了Sol Gel法制备PZT铁电薄膜的研究进展 ,简述了PZT......
结合笔者的工作,对国内外高温超导家族中,Y系、Bi系、T1系和Hg系等各个材料领域的成材发展现状作了简要综述,认为PITAg包套技术有其独到之处,并已取......
已经研究了在GaAs MESFET漏极上设置的p型区的作用。从这个p型区注入的空穴,补偿了沟道-衬底界面空间电荷区中的负电荷,因而将不希......
本文采用AsCl_3—Ga—H_2体系,研究了衬底晶面与窗壁方向、气相组分以及窗孔的几何形状、尺寸和深度等因素对GaAs气相选择外延生长......
在氢气中,石墨在高温下不是一种化学稳定的物质.本文叙述在开管系统条件下,用气相色谱分析的方法对硅外延系统中氢与石墨的热化学......
用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2,平面样品中位错线弯......
一、引言在双极型集成电路生产中,为了提高电路速度,采用了薄层外延,对通隔离和浅结扩散工艺。对通隔离的下隔离是作在外延之前的......
关于硅材料制备过程中碳沾污的问题,近年来引起了人们极大的关注.我们在研究Sicl_4氢还原低压硅外延生长时发现,外延层的碳沾污要......
用光致发光和 Hall 效应测量确定了用光助(氙灯)OMVPE 法在 GaAs 上生长 ZnSe外延层的特性,在照射条件下生长的非故意掺杂外延层具有......