漏区相关论文
首先简介原子力显微镜(AFM)的特点,然后叙述阳极键合技术的原理,以及此技术在微探针制造中的应用,最后给出该技术在CMOS新的SOI结构中的应用
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用人体静电放电模拟器对以GaAs MESFET为主要有源器件的MMIC的静电敏感度进行研究,叙述了在MMIC设计、工艺制作等环节防静电和提高MMIC抗静电能力的措施,采......
提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管 ( poly- Si TFT) .该 poly- Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成 .超薄沟道区可有......
应用 direct- currentcurrent voltage(DCIV)和电荷泵 (change pum ping)技术研究了 L DD n MOST’s在热电子应力下产生的界面陷阱......
据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是一种准绝缘体上的硅(SDI)金属—氧化物—半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新......
Tri Quint与Lockheed Martin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaN HEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论.晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为......
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文章介绍了发生在BEPC储存环和电子直线加速器真空系统的一种“虚漏”和“准虚漏”的判断与检查方法。判断方法主要是通过喷氦后所得的......
复习了1970~1979年Wilmer视网膜血管中心对中心性浆液性脉网膜病变的经验并与以往的研究做了比较.对73例随访中的病人的回顾性分析......
提供一种 MOS 晶体受,有表面扩散型漏及衬底公共源。源漏区中间有一重掺杂基区层和一轻掺杂空间电荷区。栅极是形成在 V 型槽的斜......
本文介绍应用双层多晶硅和NMOS/CMOS工艺设计具有典型存取时间为80ns的全静态RAM。该存储器工作和保持方式中功耗分别为300mw和75m......
本专利介绍一种双层多晶硅硅栅存储器。它有一个用来存储电荷的浮置栅和一个控制栅。该存储器件可做存储阵列中的单单元,采用双自......
本文阐述了浮栅EEPROM存贮单元的工作原理及图形设计的方法考虑。比较和分析了四种不同的单元图形的利弊得失以及EEPROM中低掺杂漏区(LDD)结构的图形......
源/漏离子注入诱生的点缺陷横向扩散所引起的逆短沟效应=Reverseshort-channeleffectduetolateraldiffusionofpoint-defectinducedbysource/drainionimplantation[...
Reverseshort-channeleffectduetolateraldiffusionofpoint-defectindu......
已经研究了在GaAs MESFET漏极上设置的p型区的作用。从这个p型区注入的空穴,补偿了沟道-衬底界面空间电荷区中的负电荷,因而将不希......
这种器件的高频性能是由于在精确掺杂阶段采用了离子注入,它可使源-栅-漏的几何形状“自排列”。这是在形成铝栅之后注入磷离子而......
七、互补型金属-氧化物-半导体电路互补电路在许多方面都同单极电路不同。较为熟悉的 P 型沟道晶体管是在 N 型硅中扩散P~+源和漏......
基本互补MOS结构表示在图1。低浓度p~-区扩散到n型衬底上形成隔离区。高浓度p~+区扩散到n型衬底上形成p-沟MOS管的源区和漏区,高......
本文介绍短沟道Si—栅MOS大规模集成电路的一种新的制造工艺技术。该工艺技术的特点在于用两个单一的磷扩散工艺,形成源和漏区并把......
本专利提出一种以AlO_3膜作为栅电极绝缘体的MOS晶体管的制备方法,包括汽相淀积氧化物工艺,以及尔后在湿气气氛中于700℃左右热处......
众所周知,工艺步骤强烈地影响MOS氧化层的辐射容限。本文介绍用离子注入法形成自对准多晶硅栅MOSFET源漏区的效果。抗辐射强度有规......
目前短沟道CMOS 环振的瞬态分析和模拟不能令人满意,对于长沟道CMOS 环振通常用SPICE 进行模拟,在短沟道情况下则需要对器件模型......
通过解剖常规工艺CMOS LSI芯片结构,发现其失效的一种重要模式是PMOS管源、漏区硼扩散横向连通.分析了产生这种失效模式的机理.并......
本文介绍一种采用全离子注入的CMOS/双极兼容工艺制做的高压低阻值CMOS模拟开关.采用双层介质膜作为栅绝缘膜,可以大大降低导通电......
本文介绍n阱CMOS与BIPOlAR集成电路兼容工艺。在CMOS集成电路工艺的基础上增加一次双极晶体管的基区注入,CMOS特性不改变。
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本文提出了一个新的短沟道MOSFET准二维分析模型。在整个沟道中计入二维效应后,导出了一个包括非饱和区和饱和区的统一方程,消除了......
用二维分析模型和计算机模拟研究了深耗尽绝缘层上硅MOSFET中的短沟道效应。通过耗尽膜的垂直电场对穿过源和漏区的水平电场有很大......
本文介绍了CM509AP-2双四选一模拟开关电路的工艺设计及电路性能。电路采用外延衬底材料,两次注入源/漏区,以提高击穿电压。制作出......
用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道......
期刊
白豆蔻苗疫病是万宁县牛漏区七甲乡白豆莞重点户在育苗区发现的一种比较严重的病害。过去几年曾有发生,但不成灾。而今年在高温、......