激子发射相关论文
本文报导了我们用常压MOCVD生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。我们首次制备了阱宽低达10(?)的ZnSe-ZnS应变超晶格。
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纳米材料的制备已成为当今材料领域的一个热点,探索条件温和、形态和粒径及其分布可控、产率高的制备方法是这方面研究的首要任务......
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0 .1 %,0 .22 %,0 .36 %和0 .62 %的GaAsN合金的E_0, E_0+Δ_0和E+能级的光致发光峰.共振喇......
介绍了半导体纳米材料的研究现状,综述了氧化锌、硫化镉、氧化锡、铝酸锌等半导体纳米材料的性能及制备方法。最后,提出了金属化合......
用聚乙烯基咔唑 (PVK)与十八胺 (OA)按照四种不同配比混合 ,采用LB技术制备了多层复合有序膜 ,利用荧光光谱等手段对各种体系的激......
通过在低氧分压和真空中热处理ZnO粉末,获得了ZnO荧光粉.ZnO荧光粉有两个发射谱带,分别位于380 nm(紫外)和510 nm(绿色).紫外谱带对......
研究了暴露在空气中退火和表面覆盖蓝宝石基板退火对MOCVD生长的ZnO薄膜光学性质的影响.研究发现,暴露在空气中退火虽可以去除薄膜......
本文研究了ZnSe晶体的纯度与结晶完整性对其蓝色电致发光的影响。文中比较了用三种不同纯度的ZnSe原料生长的单晶,还比较了同一晶......
该文用带有盛镉尾管的升华法生长了CdS单晶。文中选用较低的生长温度Ts=1050℃,温度梯度△T=5~10℃,尾管温度Tcd=520℃得到了生长方向......
本文叙述了原料纯度对ZnSe外延膜的发光和电学性能的影响。随原料纯度提高,ZnSe外延膜的电阻率增大,同时PL光谱中与自由激子发射有......
作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌(ZnO),具有3.37eV的禁带宽度和较小的波尔半径(1.8nm)以及高达60meV的激子束......
用聚乙烯基咔唑(PVK)与十八胺(OA)按照四种不同配比混合,采用LB技术制备了多层复合有序膜,利用荧光光谱等手段对各种体系的激子发......
通过在低氧分压和真空中热处理ZnO粉末,获得了ZnO荧光粉.ZnO荧光粉有两个发射谱带,分别位于380 nm(紫外)和510 nm(绿色).紫外谱带对应......
关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论.本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发......
用光致发光和 Hall 效应测量确定了用光助(氙灯)OMVPE 法在 GaAs 上生长 ZnSe外延层的特性,在照射条件下生长的非故意掺杂外延层具有......
对加电场的ZnSe/ZnS应变层超晶格(SLSs)进行了光致发光测量,并观察到发光猝灭和峰向较低能侧的移动。这些现象与ZnSe阱中由电场引......
本文报导材料中的杂质与缺陷对 CdS 单晶的光致发光(PL)中激子光谱的影响。发现自由激子 Ex 及其声子伴线Ex—LO,Ex—2LO 的发射强度......
研究ZnO薄膜质量与退火温度的关系,为了获得高质量的晶体薄膜,采用PECVD方法在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,生长温度为120℃,然后分......
目的研究衬底温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响及薄膜结构与发光性能两者之间的关系。方法在玻璃衬底上采用射频磁控溅射法,固定......
紫外波段激光器在信息显示和信息存储方面,具有存储密度高,反应速度快等特点,特别是在海底探测、紫外通讯、光存储、诊断防伪及检......