重掺杂相关论文
本文利用离子注入单晶硅表面的方法分别研制了硫和磷重掺杂的硅材料,并对比了二者在准分子激光退火和热退火前后的光吸收率变化特征......
利用质量分离的低能离子束技术,得到了重掺杂磁性杂质Fe的Si:Fe固溶体薄膜.俄歇电子能谱法(AES),X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子......
In this review article,we review the progress made in the past several years mainly regarding the efforts devoted to inc......
重掺杂对硅锗基区带隙的影响=EffectofheavydopingonbandgapinSiGebaseregions[刊,英]/Manning,B.M.…J.Vac.Sci.Technol.B.-1993,11(3).-1190~1192根据实验器...
Effect of heavily doped silicon germanium base band gap = Effectofheavydo......
本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应,提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型,并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管......
费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物理参数,它们与半导体掺杂杂质种类、掺杂浓度和温度都密切相关,至今尚未有一统一的数学......
低导通电压的收集极朝上的Ge/GaAs异质结双极晶体管日本NTT研究所最近报道了一种收集极朝上的Ge/GaAs异质结双极晶体管,这种晶体管能满足高频低功耗工......
通过对电流增益温度模型的分析,表明发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是低温下双极晶体管电流增益衰变的主要原因,提出了用温度比例因......
用纯数值技术计算了50~150K下磷、硼非补偿和补偿时在硅中的电离率,考虑了Fermi-Dirac统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响,结果......
本文研究了直拉型Si单晶中Cu和Fe杂质对氧沉淀行为的影响.尽管Si晶体中Cu杂质的浓度远高于Fe杂质,但发现Cu对氧沉淀行为没有影响,而Fe......
本文阐述了真空电弧沉积(VAD)的各种净化方法,并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应用,包括在制造太阳能电池方面的应用前景......
从理论与实验两方面研究了GaAs定向耦合型行波光调制器。首次报导了重掺杂n+型薄层对电场分量相当于导体,对磁场分量相当于绝缘体这一发现......
介绍了多孔硅的基本特性及其形成的选择性,最后介绍了多孔硅在表面微机械技术中的应用。
The basic characteristics and selectiv......
本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和n+重掺杂外延层的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面行波电极的微波特性.首先指出了在这种共......
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线......
氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感,如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应......
该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响;建立了从77K到300K广为适用的数学模型.获得的计算结果在轻掺杂时......
以B2O3作掺杂剂,用热丝辅助化学气相沉积法成功合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜.用VanderPauw法测量了掺硼金刚石薄膜的电阻率、霍耳迁......
反射型魔镜检测方法(R-MM)是基于“局域波面畸变”缺陷成像原理的一种光学无损检测方法.我们采用R-MM方法检测了大量的硅片和硅外延片,非常方便......
计算了具有线性Ge 分布的SiGe 基区价带有效态密度和空穴浓度的分布,分析了基区内建电场的物理机制,分别采用Boltzm ann 统计和Ferm iDirac统计给出了内建电......
硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs 表面的方法.本文使用Na2S、S2Cl2 和CH3CSNH2三种化学试剂对表面本征层重掺杂层(sin+ )结构的GaAs 样品进行了钝化,利用光调......
AlGaN基HFET已显示出在高功率微波应用的巨大潜力。包括频率响应在内的问题已得到解决,频率响应被载流子迁移率和栅长所限制,做了......
应用器件模拟软件 SILVACO模拟三种结构重掺杂型衬底中注入高频电流的分布 ,根据模拟结果分析得出重掺杂型衬底的简化模型为一单节......
采用 Si3N4- Si O2 双层栅介质及自对准重掺杂浅结 P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件—— VDMNOS-FET (垂直双扩散金属 -氮化物......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻(Rs)和硅源/漏(S/D)区域的接触电阻。对于90nm以下的器件,S/D区域还要求是重掺杂的超......
在高浓度DMQA掺杂于Alq3作为发射层的器件中直接观察到了超线性的发射增强现象。当DMQA的浓度在1.6% ~5.6%之间时,电流密度大于300......
采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH_4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH_4流量为20cm~3/min时样品获得较高的电子......
InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂......
SnSe是一种很有发展潜力的块体热电材料,但还存在一个关键问题亟待解决:SnSe材料在300—773K温度范围内热点优值ZT很低,这一点严重......
用原子力显微镜(AFM)研究了p型高阻Cd0.8Zn0.2Te晶体表面状况对接触电学特性的影响,研究了三种金属(An、Al、In)和AuCl3作为接触层材料的电学特性和接触机理。研究表......
提供一种 MOS 晶体受,有表面扩散型漏及衬底公共源。源漏区中间有一重掺杂基区层和一轻掺杂空间电荷区。栅极是形成在 V 型槽的斜......
研究干氧和湿氧(95℃H_2O)氧化膜厚度在0.10~1.0μ,温度在920℃~1200℃的范围内重掺杂硅氧化特性,研究硅掺硼(1×10~(16)~2.5×10~(20......
本文全面考虑了太阳电池发射区的重掺杂效应,计算了高斯分布下,表面杂质浓度和表面复合速度对内部复合速度及发射区暗电流的影响.
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本文对在不同B2H6浓度下制备的a-Si1-xCx:H薄膜进行热退火处理,利用四探针法分析了退火时间和掺杂浓度对薄膜电导特性的影响。结果......
本报告叙述在174K工作的10.6微米碲镉汞温差电制冷光电二极管组件的研制,本方案的目的在于论证5×10~(-4)厘米~2面积的器件在170K......
一、前言砷化镓材料由于宽禁带、高迁移率和具有良好的负阻特性而广泛地使用于固体器件的研制中。作为体效应和限累器件的原材料......
我们的工作是对硅片掺B后进行激光处理,而后X光发散束Kossel线方法和Ven den Bor方法进行测量。硅片重掺杂后,在片子的表面200A薄......
本文描述了采用分开的工艺过程来形成有源基区和无源基区的一种改进的微波晶体管结构。在这种结构中,由于采用重掺杂的无源基区具......
DHL是用连续液相外延法在重掺杂n-_GaAs衬底上生长双异质结构外延层。在600℃下用ZnAs_2作源低温Zn扩散45分钟。用钨丝网掩蔽后,......
用两维空间模拟和电荷控制原面来揭示决定I~2L最小延迟的因素,并且用实验进行了验证。本文采用数值分析说明:改善I~2L速度的重要因......