费密能相关论文
简单地介绍了十年来把催化电子理论应用于光合作用的工作概况。包括: 1.分析了两个光化学反应学说的错误; 2.如何把催化电子理论应......
测量了Al_yGa_(1-y)As/Al_x Ga_(1-x)As量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射......
报道了非对称ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构（ＤＢＳ）中的Γ－Ｘ－Γ磁隧穿振荡现象，用磁场倒数周期求得ＡｌＡｓ层中Ｘ谷和ＧａＡｓ层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好．良好......
运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料ＩｎＳｂ和ＨｇＣｄＴｅ价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特......
研究类金刚石薄膜的直流电导率随温度的变化.结果表明在110到650K范围内,导电机制分别在低温、室温和高温三个区域内具有明显的规......
Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3～1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而......
对硫掺杂Ｃ６０薄膜样品在４３３Ｋ进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后Ｃ６０薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度......
利用飞秒脉冲激光和泵浦探测技术测量了金属超微粒子半导体复合薄膜ＡｇＢａＯ的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线，观察到了薄膜对光......
从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ＺｎＳｅ（１００）表面电子结构，讨论了ＺｎＳｅ（１００）无再构无弛豫理想表面及其ｃ（２×２）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ＺｎＳｅ（１００）非二......
采用ＬＭＴＯＡＳＡ方法，对几种不同方法获得的不尽相同的Ａｇ（１１１）“稳定表面”的表面电子结构进行了系列对比研究，给出了这些不同表面弛豫结构的电子结构......
在ＧａＡｓ（００１）衬底上，用分子束外延生长Ｓｂ（１１１）薄膜，用反射式高能电子衍射仪原位监控生长过程，用透射电子显微镜观察薄膜结构，并用ｖａｎｄｅｒＰａｕｗ方法测量了电阻率随生长......
采用直流反应磁控溅射的方法,在玻璃衬底上沉积了Zn0.93Mn0.07O薄膜,研究了氧分压对薄膜结构和光学特性的影响。X射线衍射测试结果......
二维半满晶格的稳定性要考虑次近邻跃迁，此时二聚化δ存在一个临界值δ＿０，同时叠套（Ｎｅｓｔｉｎｇ）分为两种情况：１）当δ≥δ＿０，部分Ｎｅｓｔｉｎｇ，费密面的一部分仍是平直的......
用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度......
利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１＿ｂ晶体结构的ＭｏＳｉ＿２三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原......
利用ＳＴＳ测量并结合扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）扫描图象，给出一组沿石墨单晶表面原子分辨的ＳＴＭ图象上某一线段各点处的扫描隧道谱．ｄ（ｌｎｌ）／ｄ（ｌｎＶ）￣ｅＶ由测量谱给出的样品表......
当半导体的费密能级进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动,这就是Burstein-Moss效应。对Hg_(1-x)Cd_xTe半导体尚未见到有关研......
本文利用Ar~+轰击正分的α-Fe_2O_3表面,证明了轰击后的表面呈类FeO性质,存在Fe~(++)。提出了由于表面Fe~(++)的3d电子的催化作用,......
研究了三种类型化学沉积硫化铅薄膜:无氧化剂型、标准型和高氧化剂型。标准型采用的配方用于生产在193K使用的优质探测器,这类探......
本征载流子浓度n_i是组分的函数,如果同时考虑到杂质和缺陷对载流子浓度的影响,就可能用载流子浓度来判别样品的组分。假设施主和......
用不同能量的Ar~+和H~+轰击WO_3表面,观察到W_(4f)峰的位移和加宽。通过谱分解处理得到相应于W_(4f)电子的W~(6+),W~(4+)和W~03个......
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs异质结,发现不同厚度的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响,由GaA......
本文用光电子能潜技术对蓝色氧化钨的表面价态进行了一系列研究。结果表明:蓝色氧化钨并不是单一价态的氧化钨,而是由W~(+5)和W~(+......
用变分自洽方法求解了ｐ－ＨｇＣｄＴｅ金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构Ｎ型反型层子能带的基态能量Ｅ及其与表面电子浓度的关系，计算中考虑了窄禁带半导体带间相互......
提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移，与常规的多频导纳谱相比，它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用......
