带隙态相关论文
本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任......
氢化非晶硅场效应晶体管的特性对环境因素较为敏感，如光照、温度和湿度等。文中介绍光照和退火引起的氢化非晶硅场效应晶体官场效应......
计算了硅中带状层错中的空位电子态，所使用的Ｒｅｃｕｒｓｉｏｎ方法是建立在原子轨道线性组合法的基础上，考虑了ｓ－ｐ－，ｄ－型十个原子轨道．用Ｌａｎｃｚｏｓ法得到了带隙及带连续......
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)......
介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光......
本文发展了一种简明的氢化非晶硅（a－Si：H）局域态电荷密度统一模型。从a－Si材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Shockley－Read－Hall......
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本文从ａ—Ｓｉ∶Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ—Ｓｉ∶Ｈ带隙态分布模型计算了ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ—Ｓｉ∶Ｈ材料参数对ａ—Ｓｉ∶ＨＣＣＤ的动态特性影响的数值......
本文提出了一个带悬键和饱和键的Bethe格子模型,计算了非晶态硅的带隙态密度,证明了Spear实验的带隙态Ex峰是由悬键产生的,E_y峰是......
GD非晶硅中氧的掺杂对材料的光电特性有重要的影响。我们测量了a-Si:H和a-Si:H:O的光学带隙和光电导光谱响应,发现掺氧将会使光学......
本文报道了直流辉光放电本征α-Si:H薄膜的电学和光学参数的测试结果,着重讨论了曝光态和退火态光电导的温度及光强依赖特性。发现......
本文研究了As-Se非晶态半导体光电导与光强的关系,及光电导瞬态过程.发现瞬态光电导具有前冲、峰值;并且σ_(?)与G的关系有非线性......
主题索引半磁半导体 —Cdlwe袋m二T。光学和磁学性质的研究 (27)。 —HgCdT气HgMnTe的自由载流子吸收 (公以). —CdPe叽能隙的温度......
研究了不同衬底温度,不同掺钇浓度的a-Si:H(Y)膜的红外吸收谱,并与未掺杂的a-Si:H 膜比较。利用吸收峰的积分估算了样品中Si-H 键......
利用自旋涂膜(spin-coating)技术在清洁的Si衬底表面制备出共轭聚合物薄膜(poly(9,9-di-n-hexylfluorenyl-2,7-vinylene),PDHFV)样......
本文提供以甲硅烷为源,用常压热CVD制备优质氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的研究结果。对于源流量、衬底温度和垂直于衬底方向上的温度梯......
采用第一性原理超软赝势平面波方法对N掺杂TiO2的基态电子结构进行了计算研究。计算结果显示N取代O掺杂不仅把TiO2的价带位置升高......
研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光......
随着有机半导体工业的飞速发展,人们对有机微电子器件中基础物理、化学问题的研究越来越深入。在以有机电致发光二极管（OLED）、有机......
研究了氢化微晶硅薄膜费米能级以上的带隙态密度分布与薄膜微结构关系.采用拉曼谱和红外谱表征不同H稀释比制备的微晶硅薄膜的微结......
