悬键相关论文
本文用 X 射线径向分布函数、电镜观察、X 射线电子能谱和 X 射线衍射图谱较系统地研究了纳米 Si_3N_4固体。结果表明,纳米非晶 Si......
在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出......
本文简单总结了国内外有关碳传递系数研究方面的情况,并根据自己的实验概括为下面几个问题:关于传递系数的定义,研究传递系数的意......
介绍了预氧化 +热循环气体渗氮新工艺及原理。该工艺生产周期短 ,渗氮速度快 ,是一种较好的气体渗氮工艺
Introduced the new tec......
通过对纳米γ Fe2 O3固体的介电常数和介电损耗进行测量 ,发现它具有与传统电介质明显不同的反常介电特性 .理论分析和拟合结果表......
用激光蒸发方法产生了大量ＢｘＮｙ－负离子，发现在其形成过程中倾向于Ｂ—Ｎ成键，而团簇离子形成的气相反应方式又使其组成偏离子理想晶体配比，产生......
多孔硅的室温可见光发射现象报道迄今已3年有余,Canham和Lehamm分别提出了光发射的量子限制模型,来解释多孔硅的光致发光现象.我们......
此文综述了原子、离子和金属晶体清洁表面的驰豫和重构的规律与机理。
This article reviews the rules and mechanisms of relax......
对纳米α－Ｆｅ２Ｏ３的介电常数和介电损耗进行了测量，发现它具有与常规电介质不同的反常介电特性；对实验结果进行理论分析和拟合，提出了物理解释......
在化学气相沉积微晶硅薄膜过程中,为了降低成本,必须提高生长速率,但薄膜的微观结构和光电性能则随之降低,原因是成膜先驱物在薄膜......
目前,存在于非晶硅材料中的一个重要问题是其稳定性,氢虽能起饱和悬键或使无规网络软化的作用而使隙态密度降低,但由于它对温度及......
采用EHMO方法计算了氢在GaAs(110)表面的吸附,确定了氢原子在表面的吸附位置.计算结果表明,Ga与As都能吸附氢原子,最稳定的吸附位......
本文提出了一个带悬键和饱和键的Bethe格子模型,计算了非晶态硅的带隙态密度,证明了Spear实验的带隙态Ex峰是由悬键产生的,E_y峰是......
氮的掺入能够改善 a-Si∶H 的光电导性。用 ESR 方法难以分析其原因。吸收系数的弱吸收段却能显示出氮造成 a-Si∶H 缺陷态密度的......
本文用电子顺磁共振(EPR)测量了离子注入a-Si:F中悬键密度随退火温度变化的关系。总吸收率A的最小值用同一退火方法所测得的室温电......
本文先用集团模型和电荷自治的EHT方法研究了Ⅶ族元素F在 Si(111)面的化学吸附,利用能量极小原理确定了化学吸附位置;在此基础上,......
本文较系统地研究了 GD a-Si∶H 中的光致变化效应对曝光强度、曝光光子能量和曝光温度三个基本参量的依赖关系,发现光、暗电导的......
采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表......
利用Hel光电子发射,在以[110]为轴的Si圆柱面上研究了悬键表面态与晶向的关系.实验发现:在高指数晶面上,来自表面态的光电子发射有......
本文研究了发可见光的多孔硅薄膜及其粉末的电子顺磁共振(EPR)信号。采用不同电阻率和不同晶向的硅单晶衬底,经过不同条件的阳极氧......
在用射频ＣＶＤ法沉积碳的实验中，发现有较多量碳巴基洋葱生成．电镜观察表明，该方法只生成碳巴基洋葱，并无碳纳米管等伴随生成，因而制得的巴基......
由于金刚石烧结体（Polycrystalline Diamond，简称PCD）中中介相及未与金刚石反应的残留物的存在影响了金刚石烧结体的性能。而采用纳米......
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光......
采用“断键模型”计算了立方晶体理想表面的悬键密度,进而计算了其表面自由能(SFE).结果表明:对于理想(1×1)-(hkl)表面,SFE可以表......
采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜.利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱......
本文主要阐述了金刚石烧结的目前国内外研究现状,比较了国内外烧结的异同点及其优缺点.参阅大量中外文献,分析了纳米金刚石的一些......
针对非晶硅中g=2.0055 ESR谱对应于悬键(三配位硅原子)还是浮键(五配位硅原子)的争论,首次用CNDO/2方法计算了三配位和五配位原子......
硅基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料,在未来的发光二极管和光电子集成技术中都具有潜在的重要作用。稳定而有......
学位
对多壁碳纳米管（MWNTs）分别进行干式球磨和湿式球磨,采用TEM、XRD、XPS和Raman光谱等方法分析球磨对MWNTs形貌和结构的影响。结果表......
