扩展电阻法相关论文
用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布.研制了注氧和退火过程中对顶层硅层的沾污......
利用改进的范德堡法微区薄层电阻测试探针技术对n-Si片上的硼扩散图形进行薄层电阻的测量，并用发度表示其分布，可得到薄层电阻的不均......
利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图，这种Ｍａｐｐｉｎｇ技术十分有利于评价材料的质量。在......
1979年11月8日至12月6日,笔者作为一机部赴西德、瑞士大功率可控硅技术考察组的成员,着重对西德的硅材料生产技术进行了考察,本文......
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1.前言在金属切削过程中观察机加工的状态是一项重要的课题。本文的研究采用扩展电阻测量法,在真实的机加工过程中观察镀膜刀具的......
本文利用微区薄层电阻测试的一种斜置四探针新方法，将扩散微区薄层电阻测试结果绘成全片的灰度图，这种微区薄层电阻测试Mapping技术......
题 目工 作 报 告期 页射频功率晶体管可靠性设计研究…………………………………………………一(双外延材料选取实验一400兆50瓦......
一,序言晶体管发明以来的近25年间,半导体科学进展甚为迅速。以晶体管为主的半导体部件取代了电子管,单个器件发展成具有电路功能......
用高温石墨作为红外辐射源,对高浓度的注砷硅进行了瞬态(13 秒)辐照,达到非常好的退火效果.对于10~(16)cm~(-2)剂量的注砷硅可达到......
本文介绍了硅烷低压外延的实验装置。用两探针扩展电阻法测量了外延层的杂质分布。结果表明,与硅烷常压外延和四氯化硅常压外延相......
本文提出一种设备简单、测量稳定可靠、重复性好、非破坏性的检测硅单晶中微区杂质分布的 Ti-Si 接触扩展电阻法。它不需要标准样......
本文介绍一种基于固定偏压下,均匀掺杂材料的电阻率与其形成结时的势垒电容相对应的电容测量法。在不同掺杂浓度下,对肖特基势垒的......
本文介绍了扩展电阻的基本概念,扩展电阻测量的原理、装置、操作及测量结果和讨论.本半自动化测量系统.对于ρ在~(-3)～几十欧姆·厘......
本文报道在研究Si/EL电极过程基础上,将电化学C-V技术用于测定适合VLSI用的双极型晶体管多层结构材料的载流子浓度剖面分布.
This......
本文研究了As_2~+注入硅的辐射损伤及退火行为。以能量为10～30keV、剂量为1×10~(13)～5×10~(15)cm~(-2)的As_2~+注入p型〈100〉硅形......
本文简述了自动半导体载流子浓度剖面描绘仪的原理及实际应用。
This article briefly describes the principle and practical a......
本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作......
在本系列的第一部分中,我们说明了如何应用常用的分析手段来解决实际过程中的问题。在第二部分中,讨论了这些技术是如何运用的,并......
对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳......
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Pt/Ti/SiO/Si和SiO/Si衬底上制备了ZrO薄膜,采用扩展电阻法研究了薄膜纵向电阻分布;通过XRD测试研......
本文把扩展电阻法应用于陶瓷微区电导性能研究.建立了微区的定位标识系统,可精确、方便地对选定的微区进行电导性能及组分的重复测......
