本征载流子相关论文
在通用半导体器件模拟软件PISCES（版本为90091，SunOS4.1（Zhiping））的基础上，修改了模型方程，加进了低温参数模型，成功地开发和编制出了适于......
获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率和载流子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要信息
A method to study ......
在前人优秀工作的基础上，叙述了一个适用于低温和多种基区Ｇｅ组分分布的ＳｉＧｅ－ＨＢＴ电流增益的解析模型，详细推出了它的模型公式。该模型考虑了基区......
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料GaAs,由于其本征载流子浓度比Si约低104,电子迁移率约是Si的5倍,电阻率高达108Ωcm,有利于降低寄生电容,......
本文报导了用国产常压ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＩｎＰ材料．研究ＧａＩｎＰ的生长特性，用光致发光、扫描电镜、Ｘ光双晶衍射对材料进行表征．发现Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＩｎＰ的光学特性有很大......
金属饱和Hg_(0.8)Cd_(0.4)Te的(p-n)值和P_(H(?))值可用一简单的非简并半导体模型来适配,这种半导体包含有双离子化的固有施主和受......
引言当x值大于0.15时,Hg_(1-x)Cd_xTe材料为一种本征半导体。由于禁带宽度随组分x连续变化,故能设计出在1～14微米波长内具有理想性......
本文对一种新的隔离方法进行了理论分析与计算.通过分析和计算的结果,我们给这种隔离方法定名为内偏压隔离,从而反映了这种隔离方......
本文主要介绍MCT晶体热处理的本质,等浓度线的应用和测定方法,探讨等浓度线随X值变化的规律。
This article mainly introduces t......
利用Te溶剂法生长x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在300K和77K下的定点霍耳测量。其电阻率ρ的轴向分布和x光萤光光谱法所获x值的轴向分......
一、引言理论上证明,在任何温度下,红外量子探测器的最大D_λ~*由下式给出:D_(λ(最大))~=ηλ/2hc(A/gth)~(1/2)(1)这里D_λ~*—......
利用能带结构的Kane非抛物线近似值以及最近测得的重空穴质m_k和能带宽度E_g,计算了作为温度和组份函数的Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载......
本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1+3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g......
本文用一种简单计算证明了关于电流放大系数对温度的依赖关系,可以明显地受发射区和基区中的可动载流子的不同冻析速率和在这两个......
本征载流子浓度n_i是组分的函数,如果同时考虑到杂质和缺陷对载流子浓度的影响,就可能用载流子浓度来判别样品的组分。假设施主和......
测量x值的方法有13种,但都存在一些缺点。电阻判别法的原理是基于半导体具有一定的电阻,它与晶体的结构以及能带、电阻率、迁移率......
本文计算了PbS_(1-x)Se_x光伏特探测器的性能,结果表明,这种探测器在300K工作温度下或低背景温度下,其性能不佳。但在77K工作和通......
盯育第一章序论 1。i集成电路工程 1.2集成电路分类 1.3典型集成电路工艺第二章半导体物理 2.1价键模型 礼2能带棋型 乳3本征载流......
用费米-狄拉克统计法计算Hg_(1-x)Cd_x Te本征载流子浓度,以前是用玻耳兹曼统计法计算的。用玻耳兹曼统计法计算只限于组分x≥0.20......
The intrinsic carrier concentration ni0 in the undoped and the lightly doped silicon has been studied from 77 to 300K[1......
硅双极微波晶体管的发射极区和基区的杂质浓度都较高,杂质浓度高的程度及其分布随管子不同而异。总的说来,禁带宽度变窄和杂质非全......
本文介绍了一种新的测定单层LB膜中电荷密度的C-V方法,解决了常规C-V方法的不精确问题。通过对硬脂酸C_(20)H_(40)O_2膜中电荷密度......
研究了深能级中心电场增强载流子产生现象，得到的产生电流与产生宽度的理论关系，能较好地与实验结果相符合。
The phenomenon of ca......
ＩｎＳｂ光伏器件的温度特性分析龚启兵（航空工业总公司第Ｏ一四中心洛阳４７１００９）锑化铟光伏器件一般工作在７７Ｋ，且性能随着温度的变化而变化。在一定的温度......
本文计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。首次用解析的方法研究了它们与Ｇｅ组份ｘ和温度Ｔ的依赖关系。我们发现，随Ｇｅ组份......
在硅集成电路工艺中可采用吸杂工艺来改善器件性能,而应用MOSC-t方法测试的少子产生寿命是反映吸杂工艺效果的重要参数,因此,准确......
列举了有代表性的宽禁带半导体本征载流子浓度的理论公式，简要叙述了温度与禁带宽度变化的关系，讨论了本征载流子浓度对电力电子器件......
