室温光致发光相关论文
缺陷在决定材料性能方面发挥着重要的作用。特别是,在低维体系中,缺陷对材料的光子、电子的运动及其调控的作用更为显著。为了使二......
以2,2\'-联吡啶为原料,合成了Ru(Ⅱ)联吡啶配合物,其结构经1 H NMR,13 C NMR和MALDI-TOF表征.测试并分析了化合物的紫外吸收、室......
从NaOH和LiOH的混合碱液中生长了具有不同六方形貌的淡黄色ZnO晶体。采用X射线粉末衍射的方法对晶体的物相进行了分析,利用光学显......
为了研究能隙修改和发光强度之间的关系,通过化学共沉淀法制备钇、镉共掺杂的氧化锌纳米粉体。采用XRD、XPS及PL对样品的晶体结构......
在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......
在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线......
采用自行研制的立式MOCVD生长系统 ,以TMGa、TEGa为Ga源 ,在不同的生长条件下生长GaN单晶膜。然后对样品进行室温光致发光光谱测试......
采用 MOCVD方法 ,利用二甲基肼为氮源 ,进行了 Ga NAs材料的生长 .利用高分辨 X射线衍射与二次离子质谱测试方法确定了材料中氮的......
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红......
采用常压金属有机化学气相沉积技术在Al2O3(0001)衬底上生长出高质量的ZnO薄膜.用X射线双晶衍射ω和θ-2θ扫描、室温光致发光研究......
采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL......
在550℃下,通过Au-Ag合金助催热蒸发氧化亚锡,制备了25nm的SnO2纳米线.测试了SnO2纳米线的室温光致发光谱,其四个发光峰中,418nm的......
用溶液法在镀有ZnO缓冲层的硅衬底上制备出定向ZnO纳米杆阵列,然后再通过硫代乙酰胺(TAA)辅助硫化法将氧化锌一维纳米结构转化为Zn......
采用物理气相沉积的方法,在较低的温度下(500℃)制备出高产率的高度有序的单晶氧化锌纳米线阵列.对所制得的氧化锌纳米线阵列进行......
采用热蒸发法在不同的条件下制备出了阵列状和铅笔状的一维纳米ZnO。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、场发射测试仪、光致发光谱对......
通过水热的方法以退火0.5h的ZnO薄膜作为籽晶,得到垂直的ZnO纳米线。在X射线衍射谱中,除了Si的(400)衍射峰以外,只观察到了ZnO的(0......
通过水热法在溅射了一层金的Si片上生长了ZnO纳米棒。实验观察到ZnO纳米棒的室温光致发光谱中出现了强的紫外发射峰,同时还伴随有......
通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为4......
将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚1......
研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为......
采用射频磁控溅射的方法,在Si(100)基片上制备了纳米β-FeSi2/Si多层结构,利用X射线衍射、透射电子显微镜、光致发光光谱等表征技......
采用等离子化学汽相淀积方法，改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ．用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯｘ，经３００～９３５℃快速热退火，在波长１．５４μｍ处观察到很强的室......
用室温光致发光方法研究了经450～950℃热处理后硅中的热缺陷行为。光致发光强度密切地依赖于热处理的温度条件。在450℃时,光致发光......
在玻璃衬底上采用射频磁控溅射法，固定其他工艺参数、改变溅射功率制备了ZnO薄膜。通过对薄膜进行XRD和室温光致发光(PL)谱测量，研究......
本文采用自行研制的CVD设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO外延薄膜.采用X射线衍射(XRD)和双晶X射线摇摆曲线(DXRD)研究......
在GaAs衬底上使用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较之单层结......
测量了La、Nd稀土离子注入Si基晶片，在不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定。在一定范围......
采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄......
通过离子注入技术制备了ZnMnO半导体材料,研究离子注入剂量与退火对材料光谱性质的影响.Raman光谱研究发现,575cm-1处声子模展宽是......
用固态分子束外延技术生长了高应变In045Ga0.55 As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影......
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采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＤ）法在Ｓｉ（１００）衬底上淀积一层厚度约为１７０ｎｍ的富Ｇｅ高Ｃ含量的Ｓｉ、－ｘ－７ＧｅｘＣｙ薄膜，然后将其分别在８００℃和１１００℃下湿氧氧化２０ｍｉｎ。在室温下观测到强......
ZnO particles were prepared by Au-catalyzed vapor phase transport method on silicon substrate. Scanning electron microsc......
研究了ａ－ＳｉＮｘ∶Ｈ薄膜中不同氮含量样品的室温光致发光。当ｘ≥０．５时，在室温下观察到了较强的室温荧光，而且随氮含量增加，发光峰能量与强度不断增加......
微结构，光，并且磁性和房间温度光致发光 PL 做 ofMn 的 ZnO 薄电影被学习。化学作文被精力检验散 X 光检查光谱学版本和在 ZnOMn 电......
Hydrothermal synthesis and photoluminescence behavior of CeO2 nanowires with the aid of surfactant P
井水晶的 CeO_2 nanowires 经由帮助表面活化剂的热水的 process.Reaction 温度被准备，反应时间为最佳的合成 parameters.The 的决......
半导体发光器件在各个领域都有着广泛的应用。随着GaN、ZnSe等宽带隙半导体蓝光发光器件的研制成功，宽带隙半导体发光材料越来越受......
用固态分子束外延技术生长了高应变In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影......
采用超声喷雾热解法在不同衬底温度条件下沉积了N-Al共掺杂ZnO薄膜,衬底为普通硅酸盐玻璃。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光......
