自组织生长相关论文
本文通过对分子束外延技术发展中一些重要问题的分析和讨论,结合我们自己的研究工作,综合评述了利用分子束外延技术制备半导体低维......
本文对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑......
我们用MBE生长了低组分InGaAs/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化......
有序排列的磁性纳米结构由于它们丰富的物理性质和例如磁信息存储方面的潜在应用而受到很大关注。自组织生长是可以形成大面积的有......
在纳米电子及光电子应用领域, ZnO纳米线作为优良的一维宽带隙半导体结构在紫外发光、场致发射、传感器、太阳能电池等方面潜在的应......
在最近数十年中,对电子进行自由操控的技术把人类的智慧发挥得淋漓尽致。如果我们能够像操控电子那样自由操控光子,又会发生怎样神......
成功地用深能级瞬态谱(DLTS)研究了InAs自组织生长的量子点电学性质,获得2.5原子层InAs量子点电子基态能级在GaAs导带底下约0.13eV,该量子点在荷电状态发生变化时......
本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响.退火使量子点发光峰蓝移,发光强度减弱.深埋的量子......
本文报道InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12~150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温......
本文利用在GaAs(100)衬底上自组织生长超薄层InAs的方法得到了InAs量子点结构.当InAs的覆盖度小于1.7ML(Mono-Layer)时,InAs层仍保持二维生长模式,而当InAs的覆盖度大于1.7ML时,InAs层将会成岛生......
利用MBE方法在(001)GaAs衬底上生长了多层竖直自对准InAs量子点结构.透射电子显微镜的观察表明,多层量子点成一系列柱状分布.同单层量子点相比,多层量子......
本文报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果.透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列,有些量子......
我们利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了一系列InAs自组织生长的量子点超晶格样品,确认样品中存在体GaAs缺陷能级EL2和InAs量子点电子基态能级.测得1.7和2.5原子层InAs量子......
本文报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果.STM图像表明,在对n+-GaAs衬底进行脱氧处理后,通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量.在缓......
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备GaAs/AlGaAs量子点的方法,并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性,从理论上给出量子点的尺寸分......
采用常规PECVD工艺,以高H2 稀释的SiH4 作为反应气体源,以PH3 作为P原子的掺杂剂,在P型(100) 单晶硅(c- Si) 衬底上,成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc- Si(P):H) 膜。通过对膜层结构......
本文分析了电子器件发展的两次变革,比较了真空电子器件、微电子器件和纳电子器件的结构与特性,给出了它们在理论、材料和技术上的主......
报道了利用分子束外延技术在(001)GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜(TEM)研究结果,并对量子点的结构特性进行......
以SiH4为生长气源,利用VLS(气相一液相一固相)互反应生长机制,在RT-CVD生长设备上通过向(111)硅衬底表面引入Au,生长出长达数个微米而直径......
自组织生长方法作为一种有效而直接的制备半导体量子点的方法受到重视。本文采用无需在样品上制备电极的电容耦合的光伏谱方法 ,实......
纳米电脑应用纳米技术研制的计算机内存芯片,其体积不过数百个原子大小,相当于人的头发丝直径的千分之一。纳米计算机不几乎不需要耗......
用接触式原子力显微镜来观察 4 6 0℃低温下生长的 In0 .35Ga0 .6 5As/ Ga As外延层形貌 .实验发现 ,这种 4 6 0℃低温生长材料的......
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化......
考虑六方格子衬底上的沉积粒子扩散过程,本文利用Monte Carlo方法对自组织生长岛的面密度进行了研究。模拟得到了岛的生长形貌图,......
制备了InAs/InAlGaAs/InP(001)量子线结构,利用变温光致发光谱(PL)研究了InAs量子线的光学特性.随温度增加InAs量子线PL谱的发光峰......
高亮度硅量子点是实现硅光电子集成的关键部件,针对利用硅原子的自组织生长方法制备的硅量子点具有浓度低、发光弱等缺点,研究了利......
利用传统、简易的离子束溅射技术,在不同Si单晶衬底温度条件(650,700和750℃)下,自组织生长了一系列Ge/Si量子点材料。分别利......
低维有机铅卤钙钛矿纳米晶具有合适的禁带宽度、较小的激子结合能、较大的光吸收系数、宽吸收光谱、高载流子迁移率和较大的载流子......
一、天地有大美 《庄子》“知北游”(见《老子、庄子直解》),有文如下: 天地有大美而不言,四时有明法(明法,指四季周而复始运行的......
中国科学家在纳米管和其他功能纳米材料研究方面取得了7项具有重要影响的成果。这7项重要成果是:(1)大面积定向碳管阵列合成。研究人员发......
纳米技术是21世纪的优先发展领域,纳米材料与纳米器件的发展将会对信息、医学、能源、环境等领域带来很大的变化。 当材料在二维或......
为加强我国纳米科学技术工作,科学技术部等有关部门联合发布了《国家纳米科技发展纲要(2001~2010)》(下称《纲要》)。 为了更好地......
用湿化学法在水溶液中合成了单分散的、大小尺寸可控的、巯基包裹的胶体CdTe纳米晶体,并利用CdTe纳米晶体和双功能分子poly(dially......
中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室张招柱研究组,通过结合化学电沉积和自组织生长在铜表面构筑出仿荷叶超疏水......
纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛的应用.随着ZnO颗粒尺度的不断减小,其量子限域效应越来越明显,观察到电......
自组织生长的量子点结构及其光学特性汪兆平韩和相李国华(半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所北京100083)QuantumDotsGrownbyaSelf┐OrganizedMethodandTheirOpticalProperties...
QuantumDo......
采用超高真空化学气相淀积系统制备了小尺寸、高密度、纵向自对准的Ge量子点 .通过TEM和AFM对埋层和上层量子点的形貌和尺寸分布进......
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AFM)对量子点形貌观察的结果,分析了InAlA......
在国家自然科学基金的连续资助下 ,中科院北京真空物理开放实验室、中科院化学所、北京大学电子学系、北京大学化学学院科研人员组......
据国家自然科学基金委员会2001年3月5日报道,中科院北京真空物理开放实验室、中科院化学所、北京大学电子学系、北京大学化学学院......