导带底相关论文
气敏半导体薄膜内的载流子浓度与薄膜表面吸附氧密度的关系,可以反映气敏薄膜的敏感性。本文采用刚性能带模型,计算了不同厚度的Zn......
研究了铁电180°畴超格子中畴子对导带底电子特性的影响.这种影响将导致在这种结构中形成电子子能带,从而影响材料的电子特性.电子......
采用第一性原理方法研究了金红石相TiO_2:F和SnO_2:F的电学性能。计算结果表明,TiO_2:F比SnO_2:F具有较低的形成能,说明F在金红石......
采用内部求和空ｄ轨道处理下的线性丸盒轨道方法，对以ＩｎＡｓ为衬底和以ＧａＡｓ为衬底以及ＩｎＡｓ层和ＧａＡｓ层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格（ＩｎＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００ｌ），（ｎ＝１，２，３，４，５）的电子结构进......
报道了Ｈｇ０．６Ｃｄ０．４Ｔｅ红外光电导谱，在本征吸收边的低能侧观察到束缚激子引起的分立光电导响应
Reported Hg0.6Cd0.4Te infrared photoconductive......
利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂......
成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＩｎＡｓ自组织生长的量子点电学性质，获得２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级在ＧａＡｓ导带底下约０．１３ｅＶ，该量子点在荷电状态发生变化时......
用线性Muffin－Tin轨道（LMTO）能带计算方法对匹配超晶格（Znse）n／（Ge2）n（n=2－5）系统进行超元胞自洽计算。在此基础上，用冻结势方法计算该超晶格系......
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测......
该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型．获得的计算结果在轻掺杂时......
研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）三种补偿浅能级杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷......
采用计及电子一电子（ｅ－ｅ）相互作用的扩展的紧束缚模型，研究了非简并基态的导电聚合物—顺式聚乙炔（ｃｉｓ－ＰＡ）的能带结构，发现ｅ－ｐｈ耦合增强可使其导带底端......
我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子......
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与......
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱......
本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了（００１）界面应变对ＧａＮ、ＡｌＮ应变层的能带、平均键能Ｅｍ和带阶参数Ｅｍｖ的影响．借助于带阶参数形变势的计算，预......
本文测量了Sm_2TiO_5、Sm_2Ti_2O_7的电学性质和光学性质,计算了TiO_5~(-6)、TiO_6~(-8)的分子轨道,并解释了Sm_2TiO_5、Sm_2Ti_2O......
利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文......
采用VASP程序包模拟计算InGaN量子阱的能带,精细展示了量子阱实空间能带结构。计算结果表明,In原子所在区域出现局域束缚态,导带底......
采用时间分辨圆偏振光和线偏振光抽运-探测光谱,研究了9.6 K温度下本征GaAs中自旋极化电子与非极化电子的复合动力学及其随光子能......
采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂......
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究边缘为Armchair型带状碳单层与石墨基底的相互作用,结果发现,其间的相互作用导致双方......
采用密度泛函理论基础上的平面波超软赝势第一性原理计算的方法研究了纤锌矿结构热电氧化物ZnO的电子结构和热学性能。电子结构计......
照相稳定剂和防灰雾剂在照相补加剂中占有很重要的位置,几乎为所有的卤化银感光材料普遍采用。显然,其目的在于稳定照相性能和抑......
评述了国际上金刚石薄膜场发射的研究进展和存在的问题．主要包括金刚石薄膜场发射现象、场发射的可能机制和改善场发射的措施
The ......
采用真空蒸发经热处理制备了Ｖ２Ｏ５薄膜，使用二电极恒流法从１Ｍ／ＬＬｉＣｌＯ４的ＰＣ电解质溶液向Ｖ２Ｏ５薄膜注入锂离子，形成ＬｉｘＶ２Ｏ５（０≤ｘ≤０．５４），测量了Ｖ２Ｏ５薄膜近垂直反射和透射光谱，计算了......
采用多光子吸收电离模型讨论了光学薄膜的激光诱导损伤与其材料带隙的关系，分析了实际光学薄膜存在大量的非化学计量比化合物缺陷时......
测量与亚带隙辐射相关的表面光电压谱可极其灵敏地得到固体表面态信息。固体表面酸与受体表面态相关。本文用近红外光辐射测试了分......
从离散的ＳＳＨ模型出发，考虑了链内的电子相互作用，以及由杂质和周围链上的荷电孤子产生的库仑势的影响，探讨了各种掺杂浓度的反式聚乙炔中......
采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。用显微镜和X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对ZnO薄膜形貌和微结构的......
本文通过不同基质中钐离子光谱特征的研究,发现钐离子的存在价态与基质密切相关。讨论了被取代阳离子电荷、半径等化学因素对基质......
气敏金属氧化物表面吸附氧负离子Ｏ＿２￣－，Ｏ￣－的研究李蕾，夏思淝，刘文利，马文采（山东工业大学数理系济南２５００１４）１吸附氧负离子的产生和浓度的计算在金属氧化......
用ＨＭＯ法（Ｈüｃｋｅｌ分子轨道法）对６个减感系列染料的π－电子能级进行了计算。测定了染料的激发能和还原半波电位，计算值和实测值吻合较好。此方法对......
以Sb2Te3及固溶体材料的制备与测试数据为依据，采用量子化学的理论及近似方法，计算得出材料的电行分布、态密度、能级等结果，与实验数......
采用量子化学SCF-Xα-SW方法计算了第I类Si基笼状化合物中M@Si20(M=□,Na,Zr,Cs,Ba,Ce)原子团的态密度,及各体系中Si原子的结合势......
陷阱的存在对发光二极管的发光效率和其他性能有决定性的影响。检测发光二极管中的陷井能级并研究其性质,一直是发光二极管的重要......
通过电学、光学和深能级瞬态谱(DLTS)的测量,研究了硅中“氢-缺陷络合物”施主的行为.测得了同氢有关的三个能级:E_c-0.026eV、E_c......
自1965年J。J Sheer和Laar发表文章报导负电子亲和势的理论和实验以来, 由于这种光电发射体具有灵敏度高,暗发射小、发射电子的能......
一般光电阴极其真空能级在导带底之上,电子亲和势(或亲和力)为正,电子必须克服势垒才能逸出;而Ⅲ—Ⅴ族光电阴极和硅光电阴极其真......
固体能带理论的研究工作已经进行了整整半个世纪.早期的工作着重于研究在周期性势场作用下电子波函数及其能量状态的一般特征,在此......
