跳跃电导相关论文
N.F.Mott曾用Kubo-Greenwood公式处理非晶态跳跃电导问题,在T=OK,交变场??m,cosωt的条件下,证明了σ(ω)?ω~2关系,对于这个结果......
测量了(Pc_2Lu)H的电阻温度特性曲线、伏安特性曲线和交流电导。室温时电阻率(ρ)为1.2×10~5Ωcm,激活能△E为0.21eV,不受气氛的......
自从1981年A.Prón等人用三氯化铁掺杂钛系聚乙炔而得到高电导率掺杂聚乙炔以来,对此掺杂聚乙炔的低温电性能已作了一定的研究。......
Brooker和Morel分别用它作为照相增感剂和制造太阳能电池,是一种有希望的有机电子材料。但至今BSeER的结构和薄膜物理还未见报道......
采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶......
本文研究了硫系化合物玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2在低温下的电导机理,发现该材料在低温下具有一定的变程跳跃导电特性(Inσ～T~(-1/4......
射频溅射Co-Mn-Ni-O非晶薄膜在173～500K温区的热激电导微微弯曲,电导激活能随温度变化。温度高于500K,激活能为0.3eV,低于170K,激......
本文报道了对光照后不掺杂辉光放电a-Si:H中跳跃电导变化情况的研究结果,首次发现,经长时间强光照射后,虽然a-Si :H的高温扩展态电......
本文用热电势和直流电导变温测量相结合的方法,研究了离子束轰击单晶GaAs、GaP和Inp得到的薄层非晶态化合物半导体材料的电学行为......
测量了双掺砷、镓,掺杂浓度～10~(13)cm~(-3),补偿程度～0.9的N型和P型锗在2.5-300K的电导特性和2.5—77K、0—7T磁场下的磁阻.当T......
研究了（ＭｇＣｏＮｉ）Ｏ系氧敏材料的高温电导同氧分压的关系。结果表明材料中ＮｉＯ含量对电导与氧分压的关系曲线具有显著的影响，通常材料的电导机理可由......
针对无序体系中的几种具有代表性的低维情况，如一维随机无序体系、一维二元无序体系、一维纳米体系、DNA分子链、准一维多平行链无......
从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO3,型钙钛矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律.综合分析......
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电......
建立了electron-phonon-field(EPF)电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的交流电导公式.通过计算具有20000-65000个格点的无序......
采用真空蒸镀方法 ,利用液体衬底在沉积过程中的线性扩散过程 ,在玻璃表面制备出斜率仅为 10 - 5的楔形金薄膜逾渗系统 ,并用四引......
本文用逾渗理论方法，研究了非晶材料中电子跳跃电导率σ与分数维ｄｆ之间的关系，并指出在此电子输运过程中，费米能级附近的电子定域态分布......
利用射频溅射法在石英玻璃基底上制备了一系列面心立方结构的多晶TaN1-δ薄膜，并对其晶体结构和2—350 K温度范围的电子输运性质进......
通过对尖晶石系NTC热敏电阻材料导电机理的讨论和目前研究现状的综合分析,认为跳跃导电模型可以成功地解释NTC热敏电阻材料许多性......
为了理解三维纳米颗粒薄膜体系中电子的跳跃传导行为,采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了一系列不同Sn：In2O3（ITO）体积分数的三维（I......
随着有机半导体材料在有机电致发光器件、光伏电池和场效应管等器件中的广泛应用,这些材料中载流子的自旋特性以及材料在磁场下的......
