定域态相关论文
迄今为止,无论用什么方法也测量不到硫系非晶态半导体内自旋不成对的电子密度.这是由于在这类非晶态半导体中最低能态的缺陷是一......
N.F.Mott曾用Kubo-Greenwood公式处理非晶态跳跃电导问题,在T=OK,交变场??m,cosωt的条件下,证明了σ(ω)?ω~2关系,对于这个结果......
在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ－１处的几个吸收峰．认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸收......
采用计及电子一电子（ｅ－ｅ）相互作用的扩展的紧束缚模型，研究了非简并基态的导电聚合物—顺式聚乙炔（ｃｉｓ－ＰＡ）的能带结构，发现ｅ－ｐｈ耦合增强可使其导带底端......
本文用格林函数研究了聚乙炔的链端附近的电子态.计算了链端为单键或双键时可能出现的链端定域态,其结果是:单键链端可形成链端定......
用光的反射光谱和光的光致发光光谱的测量对Ga0.69In0.31NxAs1-x/GaAs的单量子阱的光学特性作了研究,在单量子阱的反射光谱中,观察......
随着有机电子学的发展,导纳谱方法受到越来越多的关注.本文在导纳谱原理的基础上,总结了目前有机半导体研究中使用的几种导纳谱物......
Mott曾利用Mos结构对无序系统进行了研究,后来先后有作者对a-Si进行场效应研究,其测量量是表面电导,所用样品的结构比较复杂,对工......
对硫掺杂Ｃ６０薄膜样品在４３３Ｋ进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后Ｃ６０薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度......
本文把固体物理学中的电子态密度概念推广到分子晶体的电子结构研究。以[C_0(H_2O)_4(NCS)_2]·(18-C-6)分子晶体为例,取合适的原......
为探讨具有二聚体结构的LB膜的一维导电机理,本文用格林函数(GF)法对此类晶链的能带结构进行了理论计算和分析,并讨论了二聚性强弱......
采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0—200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS......
a-Si能带中隙态密度的分布N(ε),是决定a-Si输运性质的一项重要参数.它的测量不仅为工艺条件的比较和检验,而且为材料结构和光学......
本文用场效应法测量了不同退火温度时的 I_D—V_G 关系,示出了 a-Si:H 场效应管的特性。在 Ar 气保护下,经500℃退火的样品的场效......
本文用集团模型和电荷自治的EHT方法研究出在GaAs(110)面的吸附.对几种不同模型计算了吸附的结合能,定域态密度,和芯电子的化学位......
一、引 言 五十年代末,人们就开始研究非晶态固体的微观结构和电子状态,开创了以非晶态为研究对象的固体物理的新领域.非晶态固体......
一、 引言 非晶硅(α-Si)肖特基二极管是最基本的太阳能电池,但要从理论上计算其电学参数是比较困难的,因为必须知道材料能隙中的......
利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料MEH-PPV的定域跃迁(350 ～420 nm)与非定域跃迁(420～600 nm). 实验证明, 定域跃迁是由于电......
利用外场调制的表面光电压谱研究聚合物材料MEH－PPV的定域跃迁（350－420nm）与非定域跃迁（420－600nm）。实验证明，定域跃迁是由于电子从价带向......
利用传输矩阵方法，研究了由两种具有特定散射关系的一维光子晶体交替排列所形成的一维光子晶体超晶格的光学特性，讨论了势垒宽度，势阱......
采用计及电子－电子（ｅ－ｅ）相互作用的扩展的紧束缚模型，研究了大简并基态的导电聚合物－顺式聚乙炔（ｃｉｓ－ＰＡ）的能带结构，发现ｅ－ｐｈ耦合增强可使其导带底端出现......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
本文对近几年来用于太阳电池的廉价Si材料生产工艺的进展作了总结和评论。主要内容有;CZ技术生长大直径单晶、铸造多晶、铸造单晶......
