霍尔测量相关论文
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计算结果与......
窄禁带碲镉汞（HgCdTe）为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更......
InPBi是最近才被成功制备的新稀铋材料，其光学、电学性质有待进一步研究。利用霍尔测量，实验发现InPBi合金的电子浓度随铋组分的......
本文通过使用变温电流-电压、变频电容-电压和霍尔测量，系统地研究了热氧化对晶格匹配的In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特......
该文对UHV-CVD方法生长的GeSi／Si异质结材料的迁移率与生长条件的关系做了研究。文章首先介绍了GeSi外延的生长，然后对测量结果做了......
该文报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。变磁霍尔测量和小光点扫描红外透射测量结果表明，反常高电子迁移率碲镉汞样品中存在导电非均......
采用分解GaP这一新型固态P源分子束外延在GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜.3μm厚的InGaP外延层低温荧光峰位是1.998 eV,半峰宽为......
高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外......
详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多......
详细分析了两类碲镉汞（HgCdTe）材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载......
用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究......
采用MOCVD生长技术以Al2O3为衬底对GaN生长进行了研究.用霍尔测量技术、光致发光技术以及光学显微镜测量了GaN的电学性能、光学性......
在半导体材料的发展中,一般将Si,Ge称为第一代电子材料,GaAs,InP,GaP,InAs,AlAs等称为第二代电子材料,而将宽带隙高温半导体ZnO,Si......
