MOS电容器相关论文
采用可控的金属沾污程序 ,最大金属表面浓度控制在 10 1 2 cm- 2数量级 ,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度 .利用斜坡电流......
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究.被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组......
采用可控的金属沾污程序,最大金属表面浓度控制在1012cm-2数量级,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度.利用斜坡电流应力和栅......
为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等......
本文研究了脉冲MOS电容器中的电场增强载流子产生.深能级中心的载流子发射几率对电场的依赖性采用Poole-Frenkel模型.我们得出了产......
本文建议子一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。由于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度......
在室温下用低能量Ar^+轰击MOS电容器肾面,能改善iO2-Si系统的界面特性和击穿特性。结果表明,随着轰击时间的增加,固定电荷密度、界面态密度和漏电流......
采用形式简单但较为精确的Pierret的产生区宽度模型,分析了线性扫描电压作用下MOS电容器的电容一时间瞬态特性。在此基础上,建议了一种通过两次......
采用可控的金属沾污程序,最大金属表面浓度控制在10^12cm^-2数量级,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度,利用斜坡电流应力和栅注......
本文给出了描写脉冲MOS电容器的瞬态特性的微分方程.产生区宽度采用准平衡模型来计算,反型少子的非稳态产生的影响已被计及,文中给......
研究了深能级中心电场增强载流子产生现象,得到的产生电流与产生宽度的理论关系,能较好地与实验结果相符合。......
22015年5月18日,Vishay Intertcchnology,lnc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条MOS......