低电容相关论文
静电释放（Electro-Static Discharge,ESD）是一种十分常见的自然现象。虽然对于人体而言,静电几乎不会产生任何影响,但ESD事件对于电......
CAN是一种串行通信协议,开发之初主要用于连接汽车和卡车的传感器和电子模块,由于CAN总线数据传输的高可靠性,在各种电气领域上的......
为提高Type-C接口的静电防护性能,提出了基于导流二极管与栅极耦合结构的静电防护架构,用于接口的低压、高压端口。采用齐纳二极管......
图1(见57页)所示Spice宏模型精确地模拟了双扩散(DMOS)功率MOSFET晶体管。尽管Spice模型作为任何种类运算放大器是很容易得到的,......
本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用．通过采用这两种工艺，不仅使得晶体管输出电容减小......
宽带宽系统常常需要直流一高频自动增益控制（ＡＧＣ）电路来简化各种信号类型。尽管市场上有很多种高速ＡＧＣ部件，但是其工作带宽往往极宽，而且售价......
耳机的种类何其多,音质真正能够让音响迷折服的并不多,不过任何一款静电耳机都不会让音响迷失望。制造静电耳机的厂家很少,屈指可......
用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器 ,应用应变 In Ga As/In Al As材料做多量子阱 ,实验测量的调制器调制性能显......
全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)近期宣布推出采用超小SOT-95......
在6月19日的中国国际电源展览会上,英飞凌科技股份公司同时推出具备适用于高能效电源转换产品的OptiMOS~(TM)3 75V MOSFET系列和下......
恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V.;NASDAQ:NXPI)宣布推出业界首款采可焊接式镀锡面盘的无引脚封装产品SOD882D。SOD882D为一款......
RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术......
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,宣布推出SP3022系列低电容ESD保护TVS二极管阵列(SPA二极管)。这些0.35pF、20kV双向......
美高森美公司发布独特的全新专利超低电容功率瞬态电压抑制(TVS)二极管产品系列。新器件充分利用公司在高可靠性TVS技术领域的50年......
提供一种 MOS 晶体受,有表面扩散型漏及衬底公共源。源漏区中间有一重掺杂基区层和一轻掺杂空间电荷区。栅极是形成在 V 型槽的斜......
低势垒肖特基二极管和高势垒肖特基二极管已与双极晶体管组合,制作出平面集成电路小面积存贮单元,功率维持在75微瓦。在离子注入P......
最近美国邮电研究中心报导了具有高达1.6μm 波长响应的低电容的汽相外延 InGaAs/InP p-i-n 光电二极管和 p-i-n FET 混合光接收......
以AlGaAs/InGaAs/GaAs为基础的十分之一微米栅长PHEMT器件在43GHz下提供了最优良的低噪声性能。测量的室温器件噪声系数为1.32dB(......
被选择的器件必须能够提供高水平的保护,而不对一般的电路运行造成干扰
Selected devices must be able to provide a high level......
本文通过对近代各系列氧化铅(Plumbicon)摄象管结构,特别是低电容输出(LOC)靶面结构特点的分析和讨论,阐明摄象管结构是提高电视......
无线电力传输（WPT）是典型的电感耦合、磁共振和与电场有关的技术。其中,电场无线电能传输具有很多优势,例如结构简单、低功率损耗、......
SP3422-04UTG系列0.2p F 22kV瞬态抑制二极管阵列将四通道超低电容轨到轨二极管和附加的齐纳二极管组合在一起,适用于保护易遭受静......
现代汽车中的电子设备大大增加,这归功于消费者对车载娱乐设备——或＂信息娱乐＂——系统和功能的需求,例如智能手机坞站、USB端口,以......
新款超低电容功率瞬态电压抑制（TVs）二极管充分利用高可靠性TVs技术领域的丰富经验和独特的射频（RF）PIN二极管专门技术，以保护高速数据......
设计的新型低电容硅像素探测器是基于减少有效几何电极面积,同时保持探测器有效体积不变的思想提出的.借助半导体器件仿真软件（Sent......
在高速数据率下,低电容ESD保护对于保持USB 2.0,IEEE 1394以及ITV操作中使用的DVI和HDMI协议的数据完整性是很关键的。......
设计人员需要为智能手机、平板电脑、数码相机等便携及无线、消费等应用选择适合的电路保护及滤波方案。本文分析了电路保护的技术......
<正>在高速数据率下,低电容ESD保护对于保持USB 2.0、IEEE 1394以及ITV操作中使用的DVI和HDMI协议的数据完整性是很关键的。全世界......
分析了低压低电容TVS器件的击穿原理,从NPLUS集电极区杂质浓度、杂质注入能量及退火激活温度三个方面探究了工艺条件对低击穿电压......
低电容瞬态电压抑制器（TVS）由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺,在常压外延条件......
