平面晶体管相关论文
又是一年芳草绿,习习春风吹绿了全球电子产品市场,为迎接“6.5”世界环境日的到来,电子业界争相加强绿色电子产品的开发生产,再度......
多栅场效应管技术有望成为应对集成电路小型化所带来的各种技术挑战的理想解决方案。与当今的平面单栅技术相比,多栅技术能够在保......
日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管,开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存......
为北京地区集成电路产业提供专业化、深层次、一站式的测试服务2009年11月30日,北京自动测试技术研究所与中国科学院微电
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市场调研公司iSuppli于今年6月16日发表了一份报告指出,1965年出现的摩尔定律在20nm～18nm工艺之间仍然有效,但2014年达到18nm之后将......
2011年5月5日上午消息,英特尔在旧金山展示了一项全新的3D晶体管技术,可以在性能不变的情况下,将处理器能耗降低一半。英特尔宣布......
IMEC研究机构比较了一种平面晶体管以及两种FinFET垂直结构晶体管,测试其在尺寸微缩能力以及工艺变差控制方面的表现。参与比较的......
微机电系统（Microelectromechanical Systems，MEMS）的出现和发展与集成电路技术紧密相连．集成电路制造技术是MEMS技术的基础制造技术。......
当前业界都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人———除了仍然热心于全耗尽绝缘......
世界科技摇篮信息时代先驱──ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室吴晓江美国电话电报公司（ＡＴ＆Ｔ）贝尔实验室，是现代世界第一流科研机构，是２０世纪和２１世纪世界科技，尤其是......
需要强调的是,“十大新闻”是一个方便表述的概念而非年度重大新闻的全部,毕竟人们习惯于阅读化零为整的信息—特别是“十”这样的......
英飞凌科技公司(Infineon)的专家已经成功研制出目前世界上最小的非易失性闪存单元。这种全新存储单元的电路宽度仅为20纳米。如果......
一 概述 美国的电子工业特别是半导体工业具有世界第一流的实力,在基础研究、新产品研究开发,以及在销售上有超群的组织力。美国......
国际上集成电路高速度发展了三十年。集成电路不仅推动着信息电子正在成长为第一大产业,而且正在渗透到国民经济的各个部门,它的......
英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。英特尔将推出被称为三栅极(Tri-Gate)的革命性3-D晶体管设计,并将批量投产......
美国Harris公司发明的多晶平面工艺主要是根据介质隔离技术原理的一种改进工艺,它对改善隔离性能、集成度以及电路特性等方面具有......
SET不需要精确的光刻工艺和金属化技术就可以获得良好的性能。在SET结构中使用砷掺杂多晶硅作为发射极电极部分。这种电极被作成倒......
在双极逻辑竞争中,两个肖特基TTL系列现在是很有声望的。这种低功率电路超过一般具有低功率-延迟乘积的TTL电路,但是对于有些电路......
勤 目 描页 题 目 赐页 工 作 拈 告GaAs闭管热氧化自生氧化膜的生长及其特 硅烷外延的快速生长—………………......
本工作对北京前门器件厂3DG41系列的电视视放输出管进行了低温钝化(以下简称LTP)。结果证明,P—Al玻璃LTP工艺对提高小电流h_(FE)......
对于平面型硅双极晶体管,在发射区和基区表面杂质浓度较高和发射结表面界面态密度较大时,电流增益的减少以及其随温度下降而减小的......
本文介绍了砷化镓-镓铝砷Npn异质结双极型晶体管的设计原理.分析了该管在高频特性、开关特性、温度特性方面超过Si平面管的潜在优......
众所周知,在本世纪六十年代初期,半导体平面工艺的出现,引起了半导体技术的重大变革,使得一些新型的半导体器件迅速发展。从此,平......
半导体器件可靠性的提高取决于以下因素:合理的设计方案、先进的工艺措施、严格的质量控制、适当的筛选程序、及时的失效分析及反......
一、为什么要用砷(As)代替磷(P)扩散超高频硅n—p—n 平面晶体管需要有良好的高频特性,要提高晶体管的特征频率f_T,在设计中一般......
本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想......
本文提出了一种新型的异质结双极型晶体管.该管的收集区和基区由磷化铟材料做成.和硅平面晶体管类似,管子的基区采用一般的氧化层(......
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这......
本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10~(14)cm~(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显......
平面晶体管(一维门)在通道上的多晶硅,是以一维方向分布在通道周围的,可以将此想象为简单的平面电容器。而在三维门中,通道升高了,......
三维门技术发展及其相关计算机技术的求证
Development of 3D Door Technology and Confirmation of Related Computer Technolog......
西德 AEG—Telefunken 公司生产了两种新型光电控制元件——BPX28及 BPX37。光电控制元件 BPX28在许多情况下都可作为高灵敏度的......
介绍了自主开发TIP41C低频大功率平面晶体管芯片的设计过程。TIP41C晶体管芯片为通用大功率、中反压型芯片。其设计过程中所使用的......
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特......
本文简述了NPN型硅平面晶体管击穿电压测试中的双线型异常现象,提出了一种解释这种现象的物理机构.......
<正>1半导体产业生态环境半导体产业诞生于20世纪70年代,当时主要受两大因素驱动:一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器;二......
