磁控反应溅射相关论文
利用光谱传感及气压、电压反馈技术为控制手段外发一种用于微纳制造的磁控反应溅射过程中以表征光谱为重点监控对象的新型等离子体......
采用射频磁控反应溅射技术, 在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品。采用椭偏光谱和紫外-可见光透射光谱测试分析技......
采用纯锌靶材(99.99％)，利用等离子体辅助磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制各氮化锌薄膜.利用XRD分析了样品的晶体结构，表明氮化锌......
Aluminium nitride AlN(100) thin films have been successfully deposited on Si(111) substrates by reactive magnetron sputt......
文字处理机热印头是采用薄膜技术制造的一种具有高分辨率、高清晰度、快速打印的热打印机专用元件。本文主要研究薄膜热印头的结构......
本文采用磁控反应溅射,制备了系列Eu掺杂的AlN膜.随着功率的增加和N2比例的减少,AlN:Eu膜从非晶向沿c轴定向生长晶态变化,结晶度及......
本文介绍了利用磁控反应溅射的方法，找到与制备低温度系数、高稳定性、高精度氮化钽薄膜电阻器相关的氮分压、溅射电压及烘烤温度等......
微电子工业迅速发展，半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的要求。因此，需要寻......
该工作研究电极材料对PZT(40/60)铁电薄膜性能的影响,提出了氧化物电极Iro可以有效地改善PZT薄膜的疲劳性能.采用磁控反应溅射工艺......
基于目前对纳米多层膜超硬效应的认识,该文从界面的微结构类型、晶格错配度和弹性模量的差异等三方面的考虑,设计并制备了五种陶瓷......
本文首先对气相沉积硬质薄膜(镀层)的发展以及TiN系列超硬薄膜的结构、性能和应用进行了综合描述，并分析了TiAlN薄膜相对与其它TiN......
无线通信技术的迅速发展，对射频终端滤波器性能提出了新的挑战。与传统的介质滤波器和表声波滤波器相比，薄膜腔声谐振器滤波器因其工......
二氧化钛(TiO2)是一种新型半导体材料,在光催化、太阳能电池和电学器件等领域有重要的应用前景,成为目前国际学术界关注的一个重点......
Al2O3薄膜具有许多优良特性,如宽禁带、高介电常数、高硬度、耐磨性好等,集光、电、机械性能于一体,具有非常广阔的应用前景,广泛......
随着个人通讯系统(PCS)的迅猛发展，通讯设备中心频率的提升成为一个引人关注的问题。当前，操控频率已经提高到GHz级别，介质滤波器和声......
自旋电子学是致力于同时操控电子的电荷自由度和自旋自由度的新兴科学。在众多的自旋电子器件候选材料中，由于稀磁半导体具有着较高......
该文利用磁控反应溅射,制备了粒径小于8.6nm的SnO(Sb)气敏薄膜,通过改变制备工艺中的溅射真空度和掺锑量,制备出稳定性能好的SnO(S......
磁存储技术由于其不易丢失数据等优点,已经成为最经济的数据存储技术并得到广泛的应用。最近,随着巨磁阻读写磁头（giant magneto-re......
采用反应磁控溅射制备了高阻SnO2薄膜。利用X射线衍射、透射光谱、霍尔效应、暗电导温度关系等方法研究了退火对薄膜的结构?光学和......
采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡｌＮ薄膜。结果表明，５种基片均可生长（１００）面择优取向的ＡｌＮ薄膜，并且具有良好的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
基于等效媒质理论设计了NiCr四层渐变膜系。以4：1的NiCr合金靶材，氧气和氮气为反应气体，氩气为工作气体，用磁控反应溅射法制备蓝色......
利用直流磁控反应溅射法,制备氧化锡薄膜,利用扫描电镜等方法对氧化锡薄膜微观结构进行分析。在低真空下,对不同厚度的氧化锡薄膜......
用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体......
利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对......
利用射频磁控反应溅射以Ar、CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜。利用X射线衍射 (XRD)、X射线光电子谱 ......
本文利用孪生靶50 kHz中频磁控反应溅射的方法,在多孔阳极层离子束源产生的低温离子束辅助条件下制备了光学性能良好的氧化钛薄膜.......
利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来......
氮掺杂二氧化钛的光催化活性能够被可见光激活,从而大大提高其对太阳光能的利用效率.为了解决材料晶化与氮掺杂在晶化过程中损失这......
在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度......
阐述了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的机理;探讨了磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的理论模型,给出了渐变折射率薄膜的折射......
采用射频磁控反应溅射技术,在不同的Ar/O2流量比条件下制备了系列Er2O3薄膜样品.采用椭偏光谱和紫外一可见光透射光谱测试分析技术......
在不同氮气浓度、不同溅射气压和衬底温度为20～370℃的条件下,分别在多种衬底上采用反应磁控溅射法沉积AlN薄膜。X射线衍射图谱表明......
用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,在白宝石上制备SiO2薄膜.对影响薄膜生长的工艺参数进行了分析,测试了薄......
MoS2 coatings were prepared by unbalanced bipolar DC magnetron sputtering under different argon pressures and for differ......
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ＩＴＯ透明导电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性，讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和透光率......
Pt/Ti 底部电极被 magnetrondual-facing-target 劈啪作响系统在 SiO_2/Si 底层上制作。铅锆酸盐泰坦吃了(PZT ) 薄电影是由无线电......
采用直流磁控反应溅射法，在玻璃和石英基体上制备了TiO2薄膜．在氧气流速超过阈值的条件下溅射，能够得到均匀透明的TiO2薄膜．在玻璃和石......
采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡＩＮ薄膜。结果表明，５种基片均可生长（１００）面掺优取向的ＡＩＮ薄膜，并且具有良好的......
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、......
为了提高MoS2薄膜在室温潮湿大气条件下的摩擦磨损性能，通过磁控反应溅射制备了MoS2／Ti／C复合薄膜。采用能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、......
运用直流磁控反应溅射技术，在不同的氧气压强下，沉积ＮｉＯｘ薄膜，随后在１ＭＫＯＨ电解溶液中处理成ＮｉＯｘＨｙ．测量了ＮｉＯｘＨｙ薄膜的电化学性质，在０．３５－２．５μｍ波范围内测定了ＮｉＯｘＨｙ薄膜漂白......
本文介绍了直流磁控反应溅射制备的氧化镍薄膜，研究了所沉积氧化薄膜的电致变色性能，响应速度，开路记忆能力及循环寿命，实验结果表明：氧......
利用直流磁控反应溅射技术制备了Ｔａ－Ｎ薄膜。利用ＴＥＭ、ＸＲＤ研究了薄膜显微组织及结构。研究结果，薄膜晶粒细小，可达到１０ｎｍ；在一定工艺条件下制备的Ｔａ－Ｎ薄膜......
葡萄牙的科研人员采用反应磁控溅射工艺进行研究，具体工艺多数为：功率密度１０Ｗ／ｃｍ２，负偏压为７０Ｖ，靶材分别用Ｗ、Ｗ－１０％Ｔｉ、Ｗ－１０％Ｎｉ（质量百分比），ＣＨ４／Ａｒ分压比为１／５，真空室压力为１０－４Ｐａ．涂......
